RDR005N25TL 기술 사양
Rohm Semiconductor - RDR005N25TL 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RDR005N25TL과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TSMT3 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.8Ohm @ 250mA, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 540mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | SC-96 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 70 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.5 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 250 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | RDR005 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RDR005N25TL와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | RDR005N25TL | NTD95N02RG | DMPH6050SFGQ-7 | SI3456CDV-T1-GE3 |
| 제조사 | Rohm Semiconductor | onsemi | Diodes Incorporated | Vishay Siliconix |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 연속 | - | - | Automotive, AEC-Q101 | TrenchFET® |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 1mA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 기본 제품 번호 | RDR005 | NTD95 | DMPH6050 | SI3456 |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 70 pF @ 25 V | 2400 pF @ 20 V | 1293 pF @ 30 V | 460 pF @ 15 V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA (Ta) | 12A (Ta), 32A (Tc) | 6.1A (Ta), 18A (Tc) | 7.7A (Tc) |
| 전력 소비 (최대) | 540mW (Ta) | 1.25W (Ta), 86W (Tc) | 1.2W (Ta) | 2W (Ta), 3.3W (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.5 nC @ 10 V | 21 nC @ 4.5 V | 24.1 nC @ 10 V | 12 nC @ 10 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 8.8Ohm @ 250mA, 10V | 5mOhm @ 20A, 10V | 50mOhm @ 7A, 10V | 34mOhm @ 6.1A, 10V |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 제조업체 장치 패키지 | TSMT3 | DPAK | PowerDI3333-8 | 6-TSOP |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 250 V | 24 V | 60 V | 30 V |
| 패키지 / 케이스 | SC-96 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 8-PowerVDFN | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
NTD95N02RGonsemiMOSFET N-CH 24V 12A/32A DPAKDMPH6050SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 60V PWRDI3333SI3456CDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOPIPB073N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
DMN3150LW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323DMG4N60SJ3Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 600V 3A TO251
IRFR3806PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 43A DPAK
AONR66922Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
RFD12N06RLEonsemiMOSFET N-CH 60V 18A IPAK
RDR-S-AC200VOmron Electronic Components
IRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFN
SUD50P08-25L-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 80V 50A TO252
2SJ328-Z-E1-AZRenesas2SJ328 - SWITCHING P-CHANNEL POWIPB80R290C3AATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
IRFI640GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
RDR005N25LAPIS Technology
DMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3FSS275-TL-EonsemiMOSFET N-CH 60V 6A 8SOP| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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