RF4C050APTR 기술 사양
Rohm Semiconductor - RF4C050APTR 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RF4C050APTR과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | -8V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | HUML2020L8 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 26mOhm @ 5A, 4.5V | |
| 전력 소비 (최대) | 2W (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerUDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5500 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | RF4C050 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RF4C050APTR와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | RF4C050APTR | RF4E075ATTCR | RF4C100BCTCR | RF4E080BNTR |
| 제조사 | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| 전력 소비 (최대) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| Vgs (최대) | -8V | ±20V | ±8V | ±20V |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN | 8-PowerUDFN |
| 연속 | - | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | HUML2020L8 | HUML2020L8 | HUML2020L8 | HUML2020L8 |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET 유형 | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 기본 제품 번호 | RF4C050 | RF4E075 | RF4C100 | RF4E080 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A (Ta) | 7.5A (Ta) | 10A (Ta) | 8A (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 10 V | 23.5 nC @ 4.5 V | 14.5 nC @ 10 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | 2.5V @ 1mA | 1.2V @ 1mA | 2V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5500 pF @ 10 V | 1000 pF @ 15 V | 1660 pF @ 10 V | 660 pF @ 15 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 30 V | 20 V | 30 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 26mOhm @ 5A, 4.5V | 21.7mOhm @ 7.5A, 10V | 15.6mOhm @ 10A, 4.5V | 17.6mOhm @ 8A, 10V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
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RF4E075ATTCRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8RF4E075AT TCRLAPIS TechnologyRF4C100BCTCRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8RF4C100BCLAPIS TechnologyRF4E080BNTBLAPIS Technology
RF430FRL154HCRGERTexas InstrumentsIC RFID TRANSP 13.56MHZ 24VQFNRF4E080GNLAPIS Technology
RF430TAL152HSRGERTexas InstrumentsPROTOTYPERF4E070BNLAPIS TechnologyRF4C050APLAPIS TechnologyRF4C050AP/TRLAPIS TechnologyRF4E080BN TBLAPIS TechnologyRF430FRL152HCRGERTexas InstrumentsIC RFID TRANSP 13.56MHZ 24VQFNRF4342-000TERF4E080BNLAPIS TechnologyRF4E080BNTRRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8
RF430F5978IRGCRTexas InstrumentsIC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 64VFQFNRF430FRL153HCRGERTexas InstrumentsIC RFID TRANSP 13.56MHZ 24VQFN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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