RGPR30NS40HRTL 기술 사양
Rohm Semiconductor - RGPR30NS40HRTL 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RGPR30NS40HRTL과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology | |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 430 V | |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.0V @ 5V, 10A | |
| 시험 조건 | 300V, 8A, 100Ohm, 5V | |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 500ns/4µs | |
| 에너지 전환 | - | |
| 제조업체 장치 패키지 | LPDS | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | |
| 전력 - 최대 | 125 W |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 유형 | Standard | |
| IGBT 유형 | - | |
| 게이트 충전 | 22 nC | |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 30 A | |
| 기본 제품 번호 | RGPR30 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RGPR30NS40HRTL와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | RGPR30NS40HRTL | RGPR30BM40HRTL | RGPZ10BM40FHTL | RGP20A-E3/54 |
| 제조사 | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 에너지 전환 | - | - | - | - |
| IGBT 유형 | - | - | - | - |
| 입력 유형 | Standard | Standard | Standard | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 전류 - 콜렉터 (IC) (최대) | 30 A | 30 A | 20 A | - |
| 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) | 430 V | 430 V | 460 V | - |
| 시험 조건 | 300V, 8A, 100Ohm, 5V | 300V, 8A, 100Ohm, 5V | 300V, 8A, 100Ohm, 5V | - |
| 전력 - 최대 | 125 W | 125 W | 107 W | - |
| VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대) | 2.0V @ 5V, 10A | 2.0V @ 5V, 10A | 2.0V @ 5V, 10A | - |
| Td (온 / 오프) @ 25 ° C | 500ns/4µs | 500ns/4µs | 500ns/4µs | - |
| 제조업체 장치 패키지 | LPDS | TO-252 | TO-252 | GP20 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | - |
| 게이트 충전 | 22 nC | 22 nC | 14 nC | - |
| 기본 제품 번호 | RGPR30 | RGPR30 | RGPZ10 | RGP20 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-201AA, DO-27, Axial |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
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RGP20A-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 2A GP20
RGP30J-E3/51Electro-Films (EFI) / Vishay
RGP15DNTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO201ADRGPR30BM40HRTLRohm SemiconductorIGBT 430V 30A IGNITION TO252RGP20DTEIC Semiconductor, Inc.RGP30KDiotec SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 3A DO201
RGP10M-M3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO204ALRGP30JNTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADRGP30MNTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201ADRGP30MDiotec SemiconductorDIODE GEN PURP 1KV 3ARGP10M/4vis
RGP30J-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
RGP15D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1.5A DO204ACRGP30J-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO201ADRGPZ10BM40FHTLRohm SemiconductorIGBT 460V 20A TO252RGP30D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO201ADRGP30M-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201ADRGP20GElectro-Films (EFI) / Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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