RHP030N03T100 기술 사양
Rohm Semiconductor - RHP030N03T100 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RHP030N03T100과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | MPT3 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 120mOhm @ 3A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 500mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-243AA | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 160 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | RHP030 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RHP030N03T100와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | RHP030N03T100 | IPB011N04NGATMA1 | RHP020N06T100 | FQA160N08 |
| 제조사 | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies | Rohm Semiconductor | onsemi |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 제조업체 장치 패키지 | MPT3 | PG-TO263-7-3 | MPT3 | TO-3PN |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 160 pF @ 10 V | 20000 pF @ 20 V | 140 pF @ 10 V | 7900 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.5 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 290 nC @ 10 V |
| 연속 | - | OptiMOS™ | - | QFET® |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 패키지 / 케이스 | TO-243AA | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-243AA | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±25V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 120mOhm @ 3A, 10V | 1.1mOhm @ 100A, 10V | 200mOhm @ 2A, 10V | 7mOhm @ 80A, 10V |
| 기본 제품 번호 | RHP030 | IPB011 | RHP020 | FQA160 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | 4V @ 200µA | 2.5V @ 1mA | 4V @ 250µA |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) | 180A (Tc) | 2A (Ta) | 160A (Tc) |
| 전력 소비 (최대) | 500mW (Ta) | 250W (Tc) | 500mW (Ta) | 375W (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | 10V | 4V, 10V | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 40 V | 60 V | 80 V |
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IPB011N04NGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 180A TO263-7RHP020N06T100Rohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 2A MPT3RHP020N06FRAT100LAPIS TechnologyRHP020N06LAPIS TechnologyFQA160N08onsemiMOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
NTMFS4H02NT3GonsemiMOSFET N-CH 25V 37A/193A 5DFNRHP020N06 T100LAPIS TechnologySSF2314Good-Ark SemiconductorMOSFET, N-CH, SINGLE, 4.5A, 20V,RHP020N06T100 MOSLAPIS Technology
IXFL38N100Q2IXYSMOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
RHP-305+Mini-CircuitsRF FILTER HIGH PASS 1.81GHZ 8SMD
AON6534Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN
SQM40P10-40L_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 40A TO263
IXTY08N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
SI3433BDV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOPIXFQ60N25X3IXYSMOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3PRHP030N03LAPIS TechnologyRHP020N06FRAHAMOS| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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