RSF010P03TL 기술 사양
Rohm Semiconductor - RSF010P03TL 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RSF010P03TL과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | - | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TUMT3 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 350mOhm @ 1A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 800mW (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 120 pF @ 10 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.9 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | RSF010 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RSF010P03TL와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | RSF010P03TL | RSF015N06TL | IXFR26N60Q | RSF014N03TL |
| 제조사 | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | IXYS | Rohm Semiconductor |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.9 nC @ 5 V | 2 nC @ 5 V | 200 nC @ 10 V | 2 nC @ 5 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1A (Ta) | 1.5A (Ta) | 23A (Tc) | 1.4A (Ta) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 연속 | - | - | HiPerFET™ | - |
| 기본 제품 번호 | RSF010 | RSF015 | IXFR26 | RSF014 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 60 V | 600 V | 30 V |
| 제조업체 장치 패키지 | TUMT3 | TUMT3 | ISOPLUS247™ | TUMT3 |
| 전력 소비 (최대) | 800mW (Ta) | 800mW (Ta) | 310W (Tc) | 800mW (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | 3-SMD, Flat Leads | 3-SMD, Flat Leads | TO-247-3 | 3-SMD, Flat Leads |
| FET 유형 | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 350mOhm @ 1A, 10V | 290mOhm @ 1.5A, 10V | 250mOhm @ 13A, 10V | 240mOhm @ 1.4A, 10V |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 120 pF @ 10 V | 110 pF @ 10 V | 5100 pF @ 25 V | 70 pF @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | 20V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | 4V, 10V | 10V | 4V, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | - | 2.5V @ 1mA | 4.5V @ 4mA | 2.5V @ 1mA |
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RSF010P03LAPIS Technology
RSF2WSJT-73-15RYAGEORES 15 OHM 5% 2W AXIALRSF015N06TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3RSF014N03LAPIS Technology
RSF1WSJT-52-0R1YageoRSF010P03 TLLAPIS Technology
RSFJL RTGTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GP 600V 500MA SUB SMAIXFR26N60QIXYSMOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247RSF014N03TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
DMN62D0LFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 100MA 3-DFNRSF010P05 TLLAPIS TechnologyRSF05G1-1PTOSSHIBA
RSF05G1-5PTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraRSF100JT-52-4K7AGYageoRSF010P05LAPIS TechnologyRSF010P05TLRohm SemiconductorMOSFET P-CH 45V 1A TUMT3RSFK2481E080C1RSF16F2FHT106LAPIS Technology| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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