RZQ045P01TR 기술 사양
Rohm Semiconductor - RZQ045P01TR 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Rohm Semiconductor - RZQ045P01TR과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | LAPIS Technology | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | |
Vgs (최대) | ±10V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TSMT6 (SC-95) | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35mOhm @ 4.5A, 4.5V | |
전력 소비 (최대) | 1.25W (Ta) | |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2450 pF @ 6 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V | |
FET 유형 | P-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Ta) | |
기본 제품 번호 | RZQ045 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Rohm Semiconductor RZQ045P01TR와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | RZQ045P01TR | IRF6619TRPBF | STI24N60M2 | IRFHM831TR2PBF |
제조사 | Rohm Semiconductor | Infineon Technologies | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
제조업체 장치 패키지 | TSMT6 (SC-95) | DIRECTFET™ MX | I2PAK (TO-262) | PQFN (3x3) |
Vgs (최대) | ±10V | ±20V | ±25V | - |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA | 2.45V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.35V @ 25µA |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 10V | - |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Cut Tape (CT) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Ta) | 30A (Ta), 150A (Tc) | 18A (Tc) | 14A (Ta), 40A (Tc) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V | 57 nC @ 4.5 V | 29 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
전력 소비 (최대) | 1.25W (Ta) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 150W (Tc) | - |
연속 | - | HEXFET® | MDmesh™ II Plus | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35mOhm @ 4.5A, 4.5V | 2.2mOhm @ 30A, 10V | 190mOhm @ 9A, 10V | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 유형 | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
기본 제품 번호 | RZQ045 | - | STI24 | - |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DirectFET™ Isometric MX | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 8-PowerTDFN |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2450 pF @ 6 V | 5040 pF @ 10 V | 1060 pF @ 100 V | 1050 pF @ 25 V |
FET 특징 | - | - | - | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12 V | 20 V | 600 V | 30 V |
작동 온도 | 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
RZQ045P01TR - Rohm Semiconductor에 대한 RZQ045P01TR PDF 데이터 시트 및 Rohm Semiconductor 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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