CSD17318Q2T 기술 사양
Texas Instruments - CSD17318Q2T 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Texas Instruments - CSD17318Q2T과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Texas Instruments | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±10V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | 6-WSON (2x2) | |
연속 | NexFET™ | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15.1mOhm @ 8A, 8V | |
전력 소비 (최대) | 16W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 879 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 8V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Tc) | |
기본 제품 번호 | CSD17318 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Texas Instruments CSD17318Q2T와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | CSD17318Q2T | CSD17381F4 | CSD17381F4T | CSD17310Q5A |
제조사 | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.2V @ 250µA | 1.1V @ 250µA | 1.1V @ 250µA | 1.8V @ 250µA |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25A (Tc) | 3.1A (Ta) | 3.1A (Ta) | 21A (Ta), 100A (Tc) |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 879 pF @ 15 V | 195 pF @ 15 V | 195 pF @ 15 V | 1560 pF @ 15 V |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V | 1.35 nC @ 4.5 V | 1.35 nC @ 4.5 V | 11.6 nC @ 4.5 V |
기본 제품 번호 | CSD17318 | CSD17381 | CSD17381 | CSD17310 |
전력 소비 (최대) | 16W (Tc) | 500mW (Ta) | 500mW (Ta) | 3.1W (Ta) |
FET 특징 | - | - | - | - |
제조업체 장치 패키지 | 6-WSON (2x2) | 3-PICOSTAR | 3-PICOSTAR | 8-VSONP (5x6) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 8V | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 3V, 8V |
연속 | NexFET™ | NexFET™ | FemtoFET™ | NexFET™ |
Vgs (최대) | ±10V | 12V | 12V | +10V, -8V |
패키지 / 케이스 | 6-WDFN Exposed Pad | 3-XFDFN | 3-XFDFN | 8-PowerTDFN |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 15.1mOhm @ 8A, 8V | 109mOhm @ 500mA, 8A | 109mOhm @ 500mA, 8V | 5.1mOhm @ 20A, 8V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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