CSD19506KTT 기술 사양
Texas Instruments - CSD19506KTT 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Texas Instruments - CSD19506KTT과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Texas Instruments | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
| 연속 | NexFET™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12200 pF @ 40 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 156 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | CSD19506 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 2 (1 Year) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Texas Instruments CSD19506KTT와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | CSD19506KTT | CSD19531Q5A | CSD19501KCS | CSD19532Q5B |
| 제조사 | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | 217W (Tc) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 연속 | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 6.4mOhm @ 16A, 10V | 6.6mOhm @ 60A, 10V | 4.9mOhm @ 17A, 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | 8-PowerTDFN | TO-220-3 | 8-PowerTDFN |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 제조업체 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | 8-VSONP (5x6) | TO-220-3 | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 200A (Ta) | 100A (Tc) | 100A (Ta) | 100A (Ta) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.2V @ 250µA | 3.3V @ 250µA | 3.2V @ 250µA | 3.2V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 156 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12200 pF @ 40 V | 3870 pF @ 50 V | 3980 pF @ 40 V | 4810 pF @ 50 V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 80 V | 100 V | 80 V | 100 V |
| 기본 제품 번호 | CSD19506 | CSD19531 | CSD19501 | CSD19532 |
CSD19531Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3CSD19532Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19506KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3CSD19502Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD19505KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 150A TO220-3CSD19503KCSTexas InstrumentsCSD19502Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD19505KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 200A DDPAKCSD19531Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19532Q5B MOSTexas InstrumentsCSD19502Q5Texas InstrumentsCSD19532Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19532KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD19531KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3CSD19533Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19533KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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