FDP032N08 기술 사양
Texas Instruments - FDP032N08 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Texas Instruments - FDP032N08과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Texas Instruments | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.2mOhm @ 75A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 15160 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 75 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | FDP032 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | 해당 사항 없음 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | Vendor Undefined |
| ECCN | |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Texas Instruments FDP032N08와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FDP032N08 | FDP030N06 | FDP027N08B-F102 | FDP038AN06A0 |
| 제조사 | Texas Instruments | onsemi | onsemi | onsemi |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 15160 pF @ 25 V | 9815 pF @ 25 V | 13530 pF @ 40 V | 6400 pF @ 25 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 17A (Ta), 80A (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 기본 제품 번호 | FDP032 | FDP030 | FDP027 | FDP038 |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 패키지 | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 6V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 75 V | 60 V | 80 V | 60 V |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | 231W (Tc) | 246W (Tc) | 310W (Tc) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 220 nC @ 10 V | 151 nC @ 10 V | 178 nC @ 10 V | 124 nC @ 10 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.2mOhm @ 75A, 10V | 3.2mOhm @ 75A, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| 연속 | - | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
FDP030N06onsemiMOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
FDP027N08B MOSAMI Semiconductor/onsemiFDP027N08B-F102onsemiMOSFET N-CH 80V 120A TO220-3FDP038ANFAIRCHI
FDP037N08Fairchild (onsemi)FDP038AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3FDP030N06B_F102Fairchild (onsemi)FDP030N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP032N08BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 80VFDP027N08BonsemiMOSFET N-CH 80V 120A TO220-3FDP032N08B-F102onsemiMOSFET N-CH 80V 120A TO220-3FDP032N08 MOSFairchild (onsemi)FDP032N06Fairchild (onsemi)FDP036N10AonsemiMOSFET N-CH 100V 120A TO220-3FDP036N10ATO-220AMI Semiconductor/onsemiFDP030N06BFairchild Semiconductor1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FETFDP032N08onsemiMOSFET N-CH 75V 120A TO220-3FDP036N10A MOSFairchild (onsemi)| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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