UCC27712QDRQ1 기술 사양
Texas Instruments - UCC27712QDRQ1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Texas Instruments - UCC27712QDRQ1과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Texas Instruments | |
전압 - 공급 | 10V ~ 20V | |
제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | |
연속 | Automotive, AEC-Q100 | |
상승 / 하강 시간 (일반) | 16ns, 10ns | |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
패키지 | Tape & Reel (TR) | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
입력 주파수 | 2 |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
실장 형 | Surface Mount | |
논리 전압 - VIL, VIH | 1.5V, 1.6V | |
입력 유형 | - | |
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600 V | |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
구동 구성 | Half-Bridge | |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.8A, 2.8A | |
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent | |
기본 제품 번호 | UCC27712 |
기인하다 | 기술 |
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RoHS 상태 | |
수분 감도 수준 (MSL) | 2 (1 Year) |
상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.39.0001 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Texas Instruments UCC27712QDRQ1와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | UCC27712QDRQ1 | UCC27712DR | UCC27714DR | UCC27712D |
제조사 | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 1.8A, 2.8A | 1.8A, 2.8A | 4A, 4A | 1.8A, 2.8A |
하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
기본 제품 번호 | UCC27712 | UCC27712 | UCC27714 | UCC27712 |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
입력 유형 | - | - | Non-Inverting | - |
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Independent | Independent | Independent | Independent |
패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
입력 주파수 | 2 | 2 | 2 | 2 |
제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | 8-SOIC | 14-SOIC | 8-SOIC |
전압 - 공급 | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 18V | 10V ~ 20V |
상승 / 하강 시간 (일반) | 16ns, 10ns | 16ns, 10ns | 15ns, 15ns | 16ns, 10ns |
구동 구성 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) |
게이트 유형 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
연속 | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - |
논리 전압 - VIL, VIH | 1.5V, 1.6V | 1.5V, 1.6V | 1.2V, 2.7V | 0.8V, 2.4V |
UCC27712QDRQ1 - Texas Instruments에 대한 UCC27712QDRQ1 PDF 데이터 시트 및 Texas Instruments 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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