APT10M11JVRU3 기술 사양
Microchip Technology - APT10M11JVRU3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Microchip Technology - APT10M11JVRU3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Microchip Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 2.5mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-227 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11mOhm @ 71A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 450W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Chassis Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8600 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 142A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | APT10M11 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Microchip Technology APT10M11JVRU3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | APT10M11JVRU3 | APT10M11JVRU2 | APT10M07JVR | APT106N60LC6 |
| 제조사 | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| 전력 소비 (최대) | 450W (Tc) | 450W (Tc) | 700W (Tc) | 833W (Tc) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 8600 pF @ 25 V | 8600 pF @ 25 V | 21600 pF @ 25 V | 8390 pF @ 25 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 기본 제품 번호 | APT10M11 | APT10M11 | - | APT106 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 142A (Tc) | 142A (Tc) | 225A (Tc) | 106A (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| 패키지 | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 600 V |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-227 | SOT-227 | ISOTOP® | TO-264 (L) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 1050 nC @ 10 V | 308 nC @ 10 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 5mA | 3.5V @ 3.4mA |
| 연속 | - | - | POWER MOS V® | CoolMOS™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 11mOhm @ 71A, 10V | 11mOhm @ 71A, 10V | - | 35mOhm @ 53A, 10V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA |
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|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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