APTM20UM03FAG 기술 사양
Microchip Technology - APTM20UM03FAG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Microchip Technology - APTM20UM03FAG과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Microchip Technology | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 15mA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SP6 | |
| 연속 | POWER MOS 7® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.6mOhm @ 290A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 2270W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | SP6 | |
| 패키지 | Bulk |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Chassis Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 43300 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 840 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 580A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | APTM20 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Microchip Technology APTM20UM03FAG와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | APTM20UM03FAG | APTM100UM45FAG | APTM10UM02FAG | APTM100UM65SAG |
| 제조사 | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 실장 형 | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 580A (Tc) | 215A (Tc) | 570A (Tc) | 145A (Tc) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | 1000 V | 100 V | 1000 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 43300 pF @ 25 V | 42700 pF @ 25 V | 40000 pF @ 25 V | 28500 pF @ 25 V |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 패키지 / 케이스 | SP6 | SP6 | SP6 | SP6 |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 연속 | POWER MOS 7® | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 기본 제품 번호 | APTM20 | APTM100 | APTM10 | APTM100 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.6mOhm @ 290A, 10V | 52mOhm @ 107.5A, 10V | 2.5mOhm @ 200A, 10V | 78mOhm @ 72.5A, 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 840 nC @ 10 V | 1602 nC @ 10 V | 1360 nC @ 10 V | 1068 nC @ 10 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전력 소비 (최대) | 2270W (Tc) | 5000W (Tc) | 1660W (Tc) | 3250W (Tc) |
| 패키지 | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 15mA | 5V @ 30mA | 4V @ 10mA | 5V @ 20mA |
| 제조업체 장치 패키지 | SP6 | SP6 | SP6 | SP6 |
APTM20UM03FAG - Microchip Technology에 대한 APTM20UM03FAG PDF 데이터 시트 및 Microchip Technology 문서를 다운로드하십시오.
APTM50AM17FMicrosemiIGBT Module
APTS006A0X-SRZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 33WAPTS003A0X-SRZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 16WAPTM10AM02FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 100V 495A SP6APTM50HM75FRTAPTIGBT ModuleAPTM50HM75STG-NDAPTIGBT ModuleAPTM100UM45FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 215A SP6APTS006A0X-SRDZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 33WAPTM20AM04FGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 200V 372A SP6APTM100A13SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6APTM10UM02FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 570A SP6APTS003A0X-SRDZABB Power Electronics Inc.DC DC CONVERTER 0.6-5.5V 16W
APTR3216CGCKKingbrightLED GREEN CLEAR CHIP SMDAPTM100UM65SAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 145A SP6APTM100UM65S-ALNMICROSEIGBT ModuleAPTM10UM01FAGMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 860A SP6APTM10UM01FGAPTIGBT ModuleAPTM50AM24SGMicrochip TechnologyMOSFET 2N-CH 500V 150A SP6| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.