MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F 기술 사양
Micron Technology Inc. - MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Micron Technology Inc. - MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Micron Technology | |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - | |
| 전압 - 공급 | 1.8V | |
| 과학 기술 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | |
| 제조업체 장치 패키지 | 162-VFBGA (10.5x8) | |
| 연속 | - | |
| 패키지 / 케이스 | 162-VFBGA | |
| 패키지 | Tray | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 메모리 유형 | Non-Volatile, Volatile | |
| 메모리 크기 | 2Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | |
| 메모리 조직 | 256M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | |
| 메모리 형식 | FLASH, RAM | |
| 클럭 주파수 | 533 MHz | |
| 기본 제품 번호 | MT29RZ2B2 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F | MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C |
| 제조사 | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. | Micron Technology Inc. |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -25°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 메모리 유형 | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile, Volatile | Non-Volatile, Volatile |
| 패키지 | Tray | Tray | Tray | Tray |
| 메모리 조직 | 256M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | 128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | 128M x 32 (NAND), 64M x 32 (LPDDR2) | 128M x 32 (NAND), 128M x 32 (LPDDR2) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel | Parallel | Parallel | Parallel |
| 패키지 / 케이스 | 162-VFBGA | 162-VFBGA | 162-VFBGA | 162-VFBGA |
| 전압 - 공급 | 1.8V | 1.8V | 1.8V | 1.8V |
| 제조업체 장치 패키지 | 162-VFBGA (10.5x8) | 162-VFBGA (10.5x8) | 162-VFBGA (10.5x8) | 162-VFBGA (10.5x8) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 연속 | - | - | - | - |
| 메모리 크기 | 2Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | 4Gbit (NAND), 2Gbit (LPDDR2) | 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) |
| 메모리 형식 | FLASH, RAM | FLASH, RAM | FLASH, RAM | FLASH, RAM |
| 클럭 주파수 | 533 MHz | 533 MHz | 533 MHz | 533 MHz |
| 과학 기술 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | MT29RZ2B2 | MT29RZ4B2 | MT29RZ4B2 | MT29RZ4B4 |
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F - Micron Technology Inc.에 대한 MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F PDF 데이터 시트 및 Micron Technology Inc. 문서를 다운로드하십시오.
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80FMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80FMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80CMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGAMT29RZ1C1CZZHGTN-25W.4M8Micron TechnologyMT29RZ1CVCZZHGTN-25 I.4M0Micron Technology
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85HMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGAMT29RZ4B2DZZHHWD-18IMicron TechnologyMT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84FMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGAMT29PZZZ8D5BKFTF-18 W.95LMicron TechnologyMT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4Micron Technology Inc.IC FLASH 72G SLC DDRMT29RZ1CVCZZHGTN-25W.4M0Micron TechnologyMT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83GMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 2GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80EMicron Technology Inc.IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGAMT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80EMicron Technology
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W 85HMTMT29RZ2B1DZZHGSP-25W.418Micron TechnologyMT29RZ4B4DZZHGPL-18 W 80UMTMT29RZ4B2DZZHGSKMicron Technology| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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