IRF630FP 기술 사양
STMicroelectronics - IRF630FP 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - IRF630FP과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 연속 | MESH OVERLAY™ II | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 400mOhm @ 4.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 30W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 700 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRF6 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics IRF630FP와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRF630FP | IRF630A | IRF630B_FP001 | IRF630NL |
| 제조사 | STMicroelectronics | Fairchild Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies |
| 기본 제품 번호 | IRF6 | - | IRF63 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 연속 | MESH OVERLAY™ II | - | - | HEXFET® |
| 전력 소비 (최대) | 30W (Tc) | 72W (Tc) | 72W (Tc) | 82W (Tc) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 700 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | 720 pF @ 25 V | 575 pF @ 25 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 9A (Tc) | 9.3A (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220FP | TO-220 | TO-220-3 | TO-262 |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IRF630FP - STMicroelectronics에 대한 IRF630FP PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.
IRF630BTSTUFairchild SemiconductorIRF630B - 200V N-CHANNEL MOSFETIRF630AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF630B_FP001onsemiMOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
IRF630/FPSTMicroelectronics
IRF630N MOSIRIRF630A MOSFairchild (onsemi)IRF630APBFVBSEMIIRF630B MOSFairchild (onsemi)IRF630NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.3A TO262IRF6305TRLIRIRF630MSTMicroelectronicsIRF630HHARRIRF630MFPSTMicroelectronicsIRF630MFSTMicroelectronicsIRF630MFRSTMicroelectronicsIRF630NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.3A TO262IRF630BFairchild (onsemi)IRF630NIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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