STB20NM60-1 기술 사양
STMicroelectronics - STB20NM60-1 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STB20NM60-1과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | I2PAK | |
| 연속 | MDmesh™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 290mOhm @ 10A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 192W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STB20N |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STB20NM60-1와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STB20NM60-1 | STB20NK50ZT4 | STB21N90K5 | STB21NK50Z |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전력 소비 (최대) | 192W (Tc) | 190W (Tc) | 250W (Tc) | 190W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 기본 제품 번호 | STB20N | STB20N | STB21 | STB21N |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 연속 | MDmesh™ | SuperMESH™ | SuperMESH5™ | Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™ |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 4.5V @ 100µA | 5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A (Tc) | 17A (Tc) | 18.5A (Tc) | 17A (Tc) |
| 제조업체 장치 패키지 | I2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 54 nC @ 10 V | 119 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 119 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 실장 형 | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 패키지 | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 290mOhm @ 10A, 10V | 270mOhm @ 8.5A, 10V | 299mOhm @ 9A, 10V | 270mOhm @ 8.5A, 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1500 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V | 1645 pF @ 100 V | 2600 pF @ 25 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 500 V | 900 V | 500 V |
STB20NM60-1 - STMicroelectronics에 대한 STB20NM60-1 PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.
STB20NM50T4 MOSSTMicroelectronicsSTB21NK50Z MOSSTMicroelectronicsSTB20NK50ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 17A D2PAKSTB21N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAKSTB21NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 17A D2PAKSTB21NK50ZT4STMicroelectronicsSTB20NM50NSTMicroelectronicsSTB21N65M5 21N65M5STMicroelectronicsSTB20NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A D2PAKSTB20NK50ZSTMicroelectronicsSTB20NF06LT4STMicroelectronics
STB21N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)STB20NM60T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 20A D2PAKSTB20NM50T4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 550V 20A D2PAKSTB20NM50FDSTMicroelectronicsSTB20NM50STMicroelectronicsSTB20NM60STMicroelectronicsSTB21N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 17A D2PAK| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.