STB9NK60ZDT4 기술 사양
STMicroelectronics - STB9NK60ZDT4 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STB9NK60ZDT4과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 100µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | D2PAK | |
| 연속 | SuperFREDmesh™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 950mOhm @ 3.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 125W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1110 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STB9N |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STB9NK60ZDT4와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STB9NK60ZDT4 | STB9NK90Z | STB9NK70Z-1 | STB9NK50ZT4 |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 기본 제품 번호 | STB9N | STB9 | STB9N | STB9 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Tc) | 8A (Tc) | 7.5A (Tc) | 7.2A (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1110 pF @ 25 V | 2115 pF @ 25 V | 1370 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 68 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V |
| 전력 소비 (최대) | 125W (Tc) | 160W (Tc) | 115W (Tc) | 110W (Tc) |
| 연속 | SuperFREDmesh™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ | SuperMESH™ |
| 제조업체 장치 패키지 | D2PAK | D2PAK | I2PAK | D2PAK |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 900 V | 700 V | 500 V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 950mOhm @ 3.5A, 10V | 1.3Ohm @ 3.6A, 10V | 1.2Ohm @ 4A, 10V | 850mOhm @ 3.6A, 10V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
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STBB1-APURSTMicroelectronicsIC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFNSTB9NK60ZT4ZSTMicroelectronicsSTB9NK80ZSTMicroelectronicsSTB9NB50T4STMicroelectronicsSTBB1PURSTMicroelectronicsIC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFNSTB9NK50ZT4 MOSSTMicroelectronicsSTB9NB60STMicroelectronicsSTB9NC60-1STMicroelectronics| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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