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제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글STH160N4LF6-2
STMicroelectronics
이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.

STH160N4LF6-2 - STMicroelectronics

제조사 제품 모델
STH160N4LF6-2
제조사
STMicroelectronics
Allelco 제품 모델
32D-STH160N4LF6-2
ECAD 모델
부품 설명
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
상세 설명
포장
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
데이터 시트
STH160N4LF6-2.pdf
RoHS 상태
유품: 37570

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수량

규격

STH160N4LF6-2 기술 사양
STMicroelectronics - STH160N4LF6-2 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STH160N4LF6-2과 유사한 사양을 가진 부품

제품 속성 속성 값  
제조사 STMicroelectronics  
아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA (Min)  
Vgs (최대) ±20V  
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)  
제조업체 장치 패키지 H2Pak-2  
연속 DeepGATE™, STripFET™ VI  
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.2mOhm @ 60A, 10V  
전력 소비 (최대) 150W (Tc)  
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
패키지 Tape & Reel (TR)  
제품 속성 속성 값  
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)  
실장 형 Surface Mount  
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8130 pF @ 20 V  
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 181 nC @ 10 V  
FET 유형 N-Channel  
FET 특징 -  
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V  
소스 전압에 드레인 (Vdss) 40 V  
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc)  
기본 제품 번호 STH160  

비슷한 규격의 부품

오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STH160N4LF6-2와 비슷합니다

제품 속성 STH160N4LF6-2 STH150N10F7-2 STH185N10F3-2 STH145N8F7-2AG
제품 모델 STH160N4LF6-2 STH150N10F7-2 STH185N10F3-2 STH145N8F7-2AG
제조사 STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
실장 형 Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
소스 전압에 드레인 (Vdss) 40 V 100 V 100 V 80 V
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8130 pF @ 20 V 8115 pF @ 50 V 6665 pF @ 25 V 6340 pF @ 40 V
아이디 @ VGS (일) (최대) 1V @ 250µA (Min) 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
제조업체 장치 패키지 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2 H2Pak-2
FET 유형 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
연속 DeepGATE™, STripFET™ VI DeepGATE™, STripFET™ VII Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호 STH160 STH150 STH185 STH145
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc) 110A (Tc) 180A (Tc) 90A (Tc)
Vgs (최대) ±20V ±20V ±20V ±20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 181 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 114.6 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V
전력 소비 (최대) 150W (Tc) 250W (Tc) 315W (Tc) 200W (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
패키지 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET 특징 - - - -
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 2.2mOhm @ 60A, 10V 3.9mOhm @ 55A, 10V 4.5mOhm @ 60A, 10V 4mOhm @ 45A, 10V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

STH160N4LF6-2 데이터 시트 PDF

STH160N4LF6-2 - STMicroelectronics에 대한 STH160N4LF6-2 PDF 데이터 시트 및 STMicroelectronics 문서를 다운로드하십시오.

PCN 포장
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN 디자인/사양
SCTx/SCTx/STHx/STPSCx/STTHx/TN4050HP 26/Jul/2022.pdf
데이터 시트
STH160N4LF6-2.pdf
PCN 노후화/ EOL
Mult Devices OBS 31/May/2018.pdf
PCN 어셈블리/원산지
Wafer Fab Site Chg 8/Mar/2017.pdf

운송 방식

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일반 국가 물류 시간 참조
지역 국가 물류 시간 (일)
미국 미국 5
브라질 7
유럽 독일 5
영국 4
이탈리아 5
오세아니아 호주 6
뉴질랜드 5
아시아 인도 4
일본 4
중동 이스라엘 6
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조
배송 요금 (kg) 참조 DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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