STL10N60M2 기술 사양
STMicroelectronics - STL10N60M2 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STL10N60M2과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±25V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerFlat™ (5x6) HV | |
| 연속 | MDmesh™ II Plus | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 660mOhm @ 2.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 48W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 400 pF @ 100 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.5A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STL10 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STL10N60M2와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STL10N60M2 | STL110NS3LLH7 | STL110N10F7 | STL105NS3LLH7 |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V | 13.7 nC @ 4.5 V | 72 nC @ 10 V | 13.7 nC @ 4.5 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.5A (Tc) | 120A (Tc) | 107A (Tc) | 105A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | STL10 | STL110 | STL110 | STL105 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 400 pF @ 100 V | 2110 pF @ 25 V | 5117 pF @ 50 V | 2110 pF @ 25 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | MDmesh™ II Plus | STripFET™ H7 | DeepGATE™, STripFET™ VII | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 660mOhm @ 2.5A, 10V | 3.4mOhm @ 14A, 10V | 6mOhm @ 10A, 10V | 3.9mOhm @ 13.5A, 10V |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerFlat™ (5x6) HV | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) | PowerFlat™ (5x6) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 2.3V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 1.2V @ 1mA (Min) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 30 V | 100 V | 30 V |
| Vgs (최대) | ±25V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 전력 소비 (최대) | 48W (Tc) | 4W (Ta), 75W (Tc) | 136W (Tc) | 62.5W (Tc) |
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STL105N4LF7AGSTMicroelectronicsSTL110NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 120A POWERFLATSTL110NS3LLH7 MOSSTMicroelectronicsSTL105N8F7AGSTMicroelectronicsSTL105NS3LLH7 MOSSTMicroelectronicsSTL110N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 107A POWERFLATSTL105N4LF7HTSTMicroelectronicsSTL10DN15F3STMicroelectronicsSTL100NH3LL MOSSTMicroelectronicsSTL105NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 105A POWERFLATSTL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 11A POWERFLATSTL115N10F7AGSTMicroelectronicsSTL117N4LF7HTSTMicroelectronicsSTL10N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 9A POWERFLATSTL110N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 108A POWERFLATSTL105DN4LF7AGSTMicroelectronicsAUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,STL10N60M6STMicroelectronicsSTL10N65M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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