STT5PF20V 기술 사양
STMicroelectronics - STT5PF20V 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STT5PF20V과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | STMicroelectronics | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 450mV @ 250µA (Min) | |
Vgs (최대) | ±8V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-6 | |
연속 | STripFET™ II | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | |
전력 소비 (최대) | 1.6W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
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작동 온도 | 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 412 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.5 nC @ 2.5 V | |
FET 유형 | P-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Tc) | |
기본 제품 번호 | STT5P |
기인하다 | 기술 |
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RoHS 상태 | |
수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STT5PF20V와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | STT5PF20V | STT6N3LLH6 | STT5N2VH5 | STT4P3LLH6 |
제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
기본 제품 번호 | STT5P | STT6N3 | STT5N2 | STT4P3 |
FET 유형 | P-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5A (Tc) | 6A (Tc) | 5A (Tj) | 4A (Ta) |
Vgs (최대) | ±8V | ±20V | ±8V | ±20V |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
전력 소비 (최대) | 1.6W (Tc) | 1.6W (Tc) | 1.6W (Tc) | 1.6W (Ta) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.5 nC @ 2.5 V | 3.6 nC @ 4.5 V | 4.6 nC @ 4.5 V | 6 nC @ 4.5 V |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 412 pF @ 15 V | 283 pF @ 24 V | 367 pF @ 16 V | 639 pF @ 25 V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V | 30 V | 20 V | 30 V |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
연속 | STripFET™ II | DeepGATE™, STripFET™ VI | STripFET™ V | DeepGATE™, STripFET™ H6 |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | 25mOhm @ 3A, 10V | 30mOhm @ 2A, 4.5V | 56mOhm @ 2A, 10V |
FET 특징 | - | - | - | - |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 450mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 2.5V @ 250µA |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
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일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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