STW34N65M5 기술 사양
STMicroelectronics - STW34N65M5 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 STMicroelectronics - STW34N65M5과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±25V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 연속 | MDmesh™ V | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 110mOhm @ 14A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 190W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2700 pF @ 100 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | STW34 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 STMicroelectronics STW34N65M5와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | STW34N65M5 | STW34NM60N | STW35N65M5 | STW34NB20 |
| 제조사 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (최대) | ±25V | ±25V | ±25V | ±30V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 110mOhm @ 14A, 10V | 105mOhm @ 14.5A, 10V | 98mOhm @ 13.5A, 10V | 75mOhm @ 17A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2700 pF @ 100 V | 2722 pF @ 100 V | 3750 pF @ 100 V | 3300 pF @ 25 V |
| 기본 제품 번호 | STW34 | STW34 | STW35N | STW34N |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 600 V | 650 V | 200 V |
| 연속 | MDmesh™ V | MDmesh™ II | MDmesh™ V | PowerMESH™ |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Tc) | 29A (Tc) | 27A (Tc) | 34A (Tc) |
| 전력 소비 (최대) | 190W (Tc) | 250W (Tc) | 160W (Tc) | 180W (Tc) |
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STW33N60M6STMicroelectronicsSTW34NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A TO247-3STW35N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 27A TO247-3STW33N60M3STMicroelectronicsSTW34NB20STMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 34A TO247-3STW32N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 24A TO247-3STW35N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 28A TO247STW32NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N CH 500V 22A TO-247STW33N20STMicroelectronicsSTW34NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 29A TO247STW33N60M2 33N60M2STMicroelectronicsSTW36N55M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 550V 33A TO247STW33N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 24A TO247STW34NM60N MOSSTMicroelectronicsSTW33N60M2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 26A TO247STW35N65DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 32A TO247STW31N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 22A TO247STW34NB20 W34NB20STMicroelectronics| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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