ES1DL RVG 기술 사양
TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1DL RVG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1DL RVG과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Taiwan Semiconductor | |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 950mV @ 1A | |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 200V | |
| 제조업체 장치 패키지 | Sub SMA | |
| 속도 | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| 연속 | - | |
| 역 회복 시간 (trr) | 35ns | |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB | |
| 다른 이름들 | ES1DL RVGTR ES1DL RVGTR-ND ES1DLRVGTR |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 9 Weeks | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | |
| 다이오드 유형 | Standard | |
| 상세 설명 | Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA | |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 5µA @ 200V | |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 1A | |
| VR, F @ 용량 | 10pF @ 4V, 1MHz |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 TSC (Taiwan Semiconductor) ES1DL RVG와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | ES1DL RVG | ES1DHE3/61T | ES1DHE3_A/H | ES1D_R1_00001 |
| 제조사 | TSC (Taiwan Semiconductor) | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Panjit International Inc. |
| 전류 - 평균 정류 (Io) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| 다른 이름들 | ES1DL RVGTR ES1DL RVGTR-ND ES1DLRVGTR |
- | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | Sub SMA | DO-214AC (SMA) | DO-214AC (SMA) | SMA (DO-214AC) |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 950mV @ 1A | 920 mV @ 1 A | 920 mV @ 1 A | 950 mV @ 1 A |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 5µA @ 200V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 1 µA @ 200 V |
| 제조업체 표준 리드 타임 | 9 Weeks | - | - | - |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 200V | 200 V | 200 V | 200 V |
| 연속 | - | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | - |
| 역 회복 시간 (trr) | 35ns | 25 ns | 25 ns | 35 ns |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 포장 | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| VR, F @ 용량 | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz |
| 속도 | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| 상세 설명 | Diode Standard 200V 1A Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| 다이오드 유형 | Standard | - | - | - |
ES1DL RVG - TSC (Taiwan Semiconductor)에 대한 ES1DL RVG PDF 데이터 시트 및 TSC (Taiwan Semiconductor) 문서를 다운로드하십시오.
ES1DHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
ES1DE-TPS02Micro Commercial Components (MCC)ES1DHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
ES1DHE3-A/1Electro-Films (EFI) / VishayES1D_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 200V 1A SMA
ES1E-E3/61TVISHAY MAS
ES1D_NLFairchild (onsemi)
ES1FL R3Taiwan SemiconductorES1DF-AUPANJIT
ES1DVRFreescale / NXP SemiconductorsES1DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACES1DWG_R2_00001PANJITES1D_R1_00101-PECPANJIT
ES1DAFonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AD
ES1D_HFLITEONES1DF-AU_R1_000A1PANJITES1E T/RPANJITES1DHE3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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