T2N7002BK,LM 기술 사양
Toshiba Semiconductor and Storage - T2N7002BK,LM 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Toshiba Semiconductor and Storage - T2N7002BK,LM과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
연속 | U-MOSVII-H | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.5Ohm @ 100mA, 10V | |
전력 소비 (최대) | 320mW (Ta) | |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 40 pF @ 10 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 400mA (Ta) | |
기본 제품 번호 | T2N7002 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Toshiba Semiconductor and Storage T2N7002BK,LM와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | T2N7002BK,LM | IRF7807 | STH245N75F3-6 | T2N7002AK,LM |
제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage | Infineon Technologies | STMicroelectronics | Toshiba Semiconductor and Storage |
기본 제품 번호 | T2N7002 | - | STH245 | T2N7002 |
Vgs (최대) | ±20V | ±12V | ±20V | ±20V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.1V @ 250µA |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 30 V | 75 V | 60 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 400mA (Ta) | 8.3A (Ta) | 180A (Tc) | 200mA (Ta) |
작동 온도 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
FET 특징 | - | - | - | - |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
전력 소비 (최대) | 320mW (Ta) | 2.5W (Ta) | 300W (Tc) | 320mW (Ta) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.5Ohm @ 100mA, 10V | 25mOhm @ 7A, 4.5V | 3mOhm @ 90A, 10V | 3.9Ohm @ 100mA, 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 40 pF @ 10 V | - | 6800 pF @ 25 V | 17 pF @ 10 V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V | 10V | 4.5V, 10V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.6 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 5 V | 87 nC @ 10 V | 0.35 nC @ 4.5 V |
제조업체 장치 패키지 | SOT-23-3 | 8-SO | H2PAK-6 | SOT-23-3 |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
연속 | U-MOSVII-H | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3 | U-MOSVII-H |
T2N7002BK,LM - Toshiba Semiconductor and Storage에 대한 T2N7002BK,LM PDF 데이터 시트 및 Toshiba Semiconductor and Storage 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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