TPN4R203NC,L1Q 기술 사양
Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R203NC,L1Q 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R203NC,L1Q과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.3V @ 200µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| 연속 | U-MOSVIII | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.2mOhm @ 11.5A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 700mW (Ta), 22W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1370 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | TPN4R203 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R203NC,L1Q와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | TPN4R203NC,L1Q | TPN4R712MD,L1Q | TPN4R303NL,L1Q | TPN30008NH |
| 제조사 | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | - |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 전력 소비 (최대) | 700mW (Ta), 22W (Tc) | 42W (Tc) | 700mW (Ta), 34W (Tc) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1370 pF @ 15 V | 4300 pF @ 10 V | 1400 pF @ 15 V | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V | - |
| 연속 | U-MOSVIII | U-MOSVI | U-MOSVIII-H | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.3V @ 200µA | 1.2V @ 1mA | 2.3V @ 200µA | - |
| FET 유형 | N-Channel | P-Channel | N-Channel | - |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.2mOhm @ 11.5A, 10V | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V | 4.3mOhm @ 20A, 10V | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 기본 제품 번호 | TPN4R203 | TPN4R712 | TPN4R303 | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Ta) | 36A (Tc) | 40A (Tc) | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | 65 nC @ 5 V | 14.8 nC @ 10 V | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±12V | ±20V | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 20 V | 30 V | - |
TPN30008NHTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN4R203NCTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
TPN302STMicroelectronicsTPN4R303NLTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN4R203NCL1QTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN3300ANHTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
TPN3021STMicroelectronicsTHYRISTOR 28V 100A 8SOICTPN4R712MDTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN4R712MD,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET P-CH 20V 36A 8TSONTPN30008NHLQ(S)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN5R203PLTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN3R704PL L1QTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN30008NH LQ(S)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN5900CNHTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN4R303NLL1QT0SH1BATPN3R704PLTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraTPN3021RLSTMicroelectronicsTHYRISTOR 28V 100A 8SOICTPN4R303NL,L1QToshiba Semiconductor and StorageMOSFET N-CH 30V 40A 8TSON| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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