TP65H300G4LSG 기술 사양
Transphorm - TP65H300G4LSG 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Transphorm - TP65H300G4LSG과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Transphorm | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.6V @ 500µA | |
Vgs (최대) | ±18V | |
과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
제조업체 장치 패키지 | 3-PQFN (8x8) | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 312mOhm @ 5A, 8V | |
전력 소비 (최대) | 21W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | 3-PowerDFN | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
제품 속성 | 속성 값 | |
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실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 760 pF @ 400 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.6 nC @ 8 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.5A (Tc) |
오른쪽 세 부분의 규격은 Transphorm TP65H300G4LSG와 비슷합니다
제품 속성 | ![]() |
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제품 모델 | TP65H300G4LSG | TP65H050WS | TP6740SVQ | TP6508QG |
제조사 | Transphorm | Transphorm | TOPRO | TOPRO |
과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | - | - |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.6V @ 500µA | 4.8V @ 700µA | - | - |
제조업체 장치 패키지 | 3-PQFN (8x8) | TO-247-3 | - | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 8V | 12V | - | - |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.6 nC @ 8 V | 24 nC @ 10 V | - | - |
패키지 / 케이스 | 3-PowerDFN | TO-247-3 | - | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 312mOhm @ 5A, 8V | 60mOhm @ 22A, 10V | - | - |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | - | - |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 760 pF @ 400 V | 1000 pF @ 400 V | - | - |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6.5A (Tc) | 34A (Tc) | - | - |
FET 특징 | - | - | - | - |
Vgs (최대) | ±18V | ±20V | - | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 650 V | - | - |
실장 형 | Surface Mount | Through Hole | - | - |
전력 소비 (최대) | 21W (Tc) | 119W (Tc) | - | - |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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