FEPB16JT-E3/81 기술 사양
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FEPB16JT-E3/81 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay General Semiconductor - Diodes Division - FEPB16JT-E3/81과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.5 V @ 8 A | |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 600 V | |
| 과학 기술 | Standard | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB (D²PAK) | |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| 연속 | - | |
| 역 회복 시간 (trr) | 50 ns |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode | |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 10 µA @ 600 V | |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 8A | |
| 기본 제품 번호 | FEPB16 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16JT-E3/81와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | FEPB16JT-E3/81 | FEPB16FT-E3/81 | FEP6DT-E3/45 | FEPF16DT-E3/45 |
| 제조사 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 600 V | 300 V | 200 V | 200 V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263AB (D²PAK) | TO-263AB (D²PAK) | TO-220-3 | ITO-220AB |
| 다이오드 구성 | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| 연속 | - | - | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 과학 기술 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.5 V @ 8 A | 1.3 V @ 8 A | 975 mV @ 3 A | 950 mV @ 8 A |
| 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당) | 8A | 8A | 6A | 8A |
| 기본 제품 번호 | FEPB16 | FEPB16 | FEP6 | FEPF16 |
| 전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 300 V | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 200 V |
| 작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| 역 회복 시간 (trr) | 50 ns | 50 ns | 35 ns | 35 ns |
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FEPF16CT/45Electro-Films (EFI) / VishayFEPB16FT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 300V 8A TO263ABFEPB16JTElectro-Films (EFI) / VishayFEP6DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 6A TO220ABFEP6DT-E3/54Electro-Films (EFI) / VishayFEPF16DT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 8A ITO220ABFEPF16FT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 300V 8A ITO220ABFEP6BT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 100V 6A TO220ABFEPB16GT-E3/8WElectro-Films (EFI) / VishayFEPF16BTElectro-Films (EFI) / VishayFEPB16DTElectro-Films (EFI) / VishayFEPB6DTElectro-Films (EFI) / VishayFEPB16DT-E3/31Electro-Films (EFI) / VishayFEPB16JT/45Electro-Films (EFI) / VishayFEPB6DT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 6A TO263AB
FEPB16GTGSFEPF16DTEIC SEMICONDUCTOR INC.DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220ABFEPF16CTElectro-Films (EFI) / Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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