IRFB9N65A 기술 사양
Vishay Siliconix - IRFB9N65A 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - IRFB9N65A과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 930mOhm @ 5.1A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 167W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1417 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.5A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRFB9N65 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix IRFB9N65A와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFB9N65A | IRFB812PBF | IRFB9N65APBF | IRFBA1405P |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 48 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| 기본 제품 번호 | IRFB9N65 | IRFB812 | IRFB9 | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | SUPER-220™ (TO-273AA) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 930mOhm @ 5.1A, 10V | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V | 930mOhm @ 5.1A, 10V | 5mOhm @ 101A, 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1417 pF @ 25 V | 810 pF @ 25 V | 1417 pF @ 25 V | 5480 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 500 V | 650 V | 55 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.5A (Tc) | 3.6A (Tc) | 8.5A (Tc) | 174A (Tc) |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs (최대) | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| 연속 | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-273AA |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 전력 소비 (최대) | 167W (Tc) | 78W (Tc) | 167W (Tc) | 330W (Tc) |
IRFB9N65A - Vishay Siliconix에 대한 IRFB9N65A PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
IRFB812PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 500V 3.6A TO220ABIRFB9N65APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 8.5A TO220ABIRFBA1405PInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220IRFB7746PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 59A TO220ABIRFBC20Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 2.2A TO220ABIRFB830 800/RIRFB812IRIRFBA31N50LIRIRFB9N30AVishay SiliconixMOSFET N-CH 300V 9.3A TO220ABIRFBA1404PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220IRFB7N60C3PBFIRIRFBA90N20DIRIRFBA1405PPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220IRFB9N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABIRFBC20-030IRIRFB9N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A TO220ABIRFB7787PBFInternational RectifierIRFB7787 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFBC20 MOSIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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