이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.
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IRFBG30 - Vishay Siliconix
- 제조사 제품 모델
- IRFBG30
- Allelco 제품 모델
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- ECAD 모델
- 부품 설명
- MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
- 포장
- TO-220-3
- 데이터 시트
IRFBG30.pdf
- 우리의 인증
- 유품: 5070
IRFBG30 기술 사양
Vishay Siliconix - IRFBG30 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - IRFBG30과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5Ohm @ 1.9A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 125W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 980 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRFBG30 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix IRFBG30와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFBG30 | IRFBF30PBF | IRFBF30STRL | IRFBG20PBF |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 연속 | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 980 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 500 pF @ 25 V |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1000 V | 900 V | 900 V | 1000 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 전력 소비 (최대) | 125W (Tc) | 125W (Tc) | 125W (Tc) | 54W (Tc) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | TO-220AB |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.1A (Tc) | 3.6A (Tc) | 3.6A (Tc) | 1.4A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 기본 제품 번호 | IRFBG30 | IRFBF30 | IRFBF30 | IRFBG20 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 5Ohm @ 1.9A, 10V | 3.7Ohm @ 2.2A, 10V | 3.7Ohm @ 2.2A, 10V | 11Ohm @ 840mA, 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
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IRFBF30PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB
IRFBG30PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFBF30PBF MOSIRIRFBF30STRLVishay SiliconixMOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAKIRFBF20STRLPBF MOSIR/VISHAYIRFBG20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220ABIRFC4568IRIRFBG30PBF-BE3VishayIRFBF30Vishay SiliconixMOSFET N-CH 900V 3.6A TO220ABIRFBG30PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
IRFD010Vishay SiliconixMOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIPIRFBL10N60AIRIRFC9140IRIRFBF30SVishay SiliconixMOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAKIRFBF20STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAKIRFBG20Vishay SiliconixMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220ABIRFC5305BVIRIRFC140IR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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