IRLL110TRPBF 기술 사양
Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - IRLL110TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±10V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 540mOhm @ 900mA, 5V | |
| 전력 소비 (최대) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 250 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRLL110 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix IRLL110TRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRLL110TRPBF | IRLL110 | IRLL024ZTRPBF | IRLL110TRPBF-BE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 250 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 380 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V | 4V, 5V | 4.5V, 10V | 4V, 5V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 전력 소비 (최대) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | 1W (Ta) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 100 V | 55 V | 100 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A (Tc) | 1.5A (Tc) | 5A (Tc) | 1.5A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±10V | ±10V | ±16V | ±10V |
| 기본 제품 번호 | IRLL110 | IRLL110 | IRLL024 | IRLL110 |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 540mOhm @ 900mA, 5V | 540mOhm @ 900mA, 5V | 60mOhm @ 3A, 10V | 540mOhm @ 900mA, 5V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.1 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V | 11 nC @ 5 V | 6.1 nC @ 5 V |
| 연속 | - | - | HEXFET® | - |
| 제조업체 장치 패키지 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 | SOT-223 |
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IRLL110 MOSIRIRLL110Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
IRLL110TR-GE3Electro-Films (EFI) / VishayIRLL024ZTRPBF.IRIRLL1255TRPBFIRIRLL110TRPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRLL024ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 5A SOT223IRLL110TRPBF-BE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223IRLL110PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223IRLL110TRVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223IRLL2703TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
IRLL024ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 5A SOT223IRLL2703Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223IRLL2703PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223IRLL110TRPBF-(LB)Electro-Films (EFI) / VishayIRLL2703 MOSIRIRLL1905TRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLL024ZTRPBF MOSIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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