IRLZ24STRR 기술 사양
Vishay Siliconix - IRLZ24STRR 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - IRLZ24STRR과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±10V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | D²PAK (TO-263) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 10A, 5V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRLZ24 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 미준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix IRLZ24STRR와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRLZ24STRR | IRLZ34L | IRLZ34NS | IRLZ34 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 100mOhm @ 10A, 5V | 50mOhm @ 18A, 5V | 35mOhm @ 16A, 10V | 50mOhm @ 18A, 5V |
| Vgs (최대) | ±10V | ±10V | ±16V | ±10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| 전력 소비 (최대) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | 88W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 기본 제품 번호 | IRLZ24 | IRLZ34 | - | IRLZ34 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V | 4V, 5V | 4V, 10V | 4V, 5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 60 V | 55 V | 60 V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| 연속 | - | - | HEXFET® | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18 nC @ 5 V | 35 nC @ 5 V | 25 nC @ 5 V | 35 nC @ 5 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 870 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V | 880 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V |
| 제조업체 장치 패키지 | D²PAK (TO-263) | TO-262-3 | D2PAK | TO-220AB |
IRLZ24STRR - Vishay Siliconix에 대한 IRLZ24STRR PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
IRLZ34LVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 30A TO262-3IRLZ24NSPBF MOSIRIRLZ24STRLPBF MOSIRIRLZ34NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A D2PAKIRLZ34Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRLZ34NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A TO220ABIRLZ24STRLVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A D2PAKIRLZ24S MOSIR
IRLZ34NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A TO262IRLZ24PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A TO220ABIRLZ24NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 18A D2PAKIRLZ24SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A D2PAKIRLZ24STRLPBFIRIRLZ24SVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 17A D2PAKIRLZ34NPBF MOSIRIRLZ34NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A TO262IRLZ34NIRIRLZ34NLPBF MOSIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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