SI3483DV-T1-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SI3483DV-T1-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SI3483DV-T1-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Vishay / Siliconix | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP | |
연속 | TrenchFET® | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35mOhm @ 6.2A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 1.14W (Ta) | |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
FET 유형 | P-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.7A (Ta) | |
기본 제품 번호 | SI3483 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SI3483DV-T1-GE3와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | SI3483DV-T1-GE3 | SI3493BDV-T1-E3 | SI3483CDV-T1-E3 | SI3483DDV-T1-GE3 |
제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | 43.5 nC @ 5 V | 33 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (최대) | ±20V | ±8V | ±20V | +16V, -20V |
제조업체 장치 패키지 | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP | 6-TSOP |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35mOhm @ 6.2A, 10V | 27.5mOhm @ 7A, 4.5V | 34mOhm @ 6.1A, 10V | 31.2mOhm @ 5A, 10V |
전력 소비 (최대) | 1.14W (Ta) | 2.08W (Ta), 2.97W (Tc) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) | 2W (Ta), 3W (Tc) |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
기본 제품 번호 | SI3483 | SI3493 | SI3483 | SI3483 |
연속 | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TA) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
FET 유형 | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.7A (Ta) | 8A (Tc) | 8A (Tc) | 6.4A (Ta), 8A (Tc) |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FET 특징 | - | - | - | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 1.8V, 4.5V | 10V | 4.5V, 10V |
SI3483DV-T1-GE3 - Vishay Siliconix에 대한 SI3483DV-T1-GE3 PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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