SI4850EY-T1-E3 기술 사양
Vishay Siliconix - SI4850EY-T1-E3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SI4850EY-T1-E3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 연속 | TrenchFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22mOhm @ 6A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 1.7W (Ta) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta) | |
| 기본 제품 번호 | SI4850 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SI4850EY-T1-E3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SI4850EY-T1-E3 | SI4848DY-T1-GE3 | SI4850BDY-T1-GE3 | SI4850EY-T1 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 150 V | 60 V | 60 V |
| 연속 | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 27 nC @ 10 V | 21 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 22mOhm @ 6A, 10V | 85mOhm @ 3.5A, 10V | 19.5mOhm @ 10A, 10V | 22mOhm @ 6A, 10V |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 전력 소비 (최대) | 1.7W (Ta) | 1.5W (Ta) | 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) | 1.7W (Ta) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 기본 제품 번호 | SI4850 | SI4848 | SI4850 | SI4850 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA (Min) | 2.8V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SO | 8-SOIC |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Ta) | 2.7A (Ta) | 8.4A (Ta), 11.3A (Tc) | 6A (Ta) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
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SI4848DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
SI4850BDYElectro-Films (EFI) / Vishay
SI4856ASISI4850EYElectro-Films (EFI) / VishaySI4850DYSILICONIXSI4850PDY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4856ADYSILICONIXSI4850BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SOSI4850EY-T1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6A 8SOSI4850EY-T1-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySI4854DY-T1-E3VISHATSI4852DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4850DY-T1-E3VBSEMISI4850EY-TI-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4850EY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6A 8SOSI4848EY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4850SI4856ADY-T1Electro-Films (EFI) / Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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