SI4972DY-T1-E3 기술 사양
Vishay Siliconix - SI4972DY-T1-E3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SI4972DY-T1-E3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 연속 | TrenchFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14.5mOhm @ 6A, 10V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W, 2.5W | |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1080pF @ 15V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 10V | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10.8A, 7.2A | |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | SI4972 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SI4972DY-T1-E3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SI4972DY-T1-E3 | SI4974DY-T1-E3 | SI4967DY-T1-E3 | SI4972DY-T1-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 30V | 12V | 30V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1080pF @ 15V | - | - | 1080pF @ 15V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10.8A, 7.2A | 6A, 4.4A | - | 10.8A, 7.2A |
| FET 특징 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| 연속 | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 10V | 11nC @ 4.5V | 55nC @ 10V | 28nC @ 10V |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 기본 제품 번호 | SI4972 | SI4974 | SI4967 | SI4972 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 450mV @ 250µA (Min) | 3V @ 250µA |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14.5mOhm @ 6A, 10V | 19mOhm @ 8A, 10V | 23mOhm @ 7.5A, 4.5V | 14.5mOhm @ 6A, 10V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 전력 - 최대 | 3.1W, 2.5W | 1.1W | 2W | 3.1W, 2.5W |
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SI4974DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
SI4974DYVIS
Si4974ADY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4967DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 8SOICSI4966DYVISSI4976DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4972DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOICSI4966DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 8SOICSI4966DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 8SOICSI4973DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOICSI4971DY-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySI4966DY-T1-E3.Electro-Films (EFI) / VishaySI4966DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4967DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4973DYVISSI4973DY-T1Electro-Films (EFI) / VishaySI4971DYVISSI4973DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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