SI7792DP-T1-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SI7792DP-T1-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SI7792DP-T1-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
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제조사 | Vishay / Siliconix | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±20V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
연속 | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.1mOhm @ 20A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4735 pF @ 15 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | Schottky Diode (Body) | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40.6A (Ta), 60A (Tc) | |
기본 제품 번호 | SI7792 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SI7792DP-T1-GE3와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | SI7792DP-T1-GE3 | SI7804DN-T1-E3 | SI7784DP-T1-GE3 | SI7794DP-T1-GE3 |
제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | 13 nC @ 5 V | 45 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | 1.8V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4735 pF @ 15 V | - | 1600 pF @ 15 V | 2520 pF @ 15 V |
전력 소비 (최대) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 1.5W (Ta) | 5W (Ta), 27.7W (Tc) | 5W (Ta), 48W (Tc) |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40.6A (Ta), 60A (Tc) | 6.5A (Ta) | 35A (Tc) | 28.6A (Ta), 60A (Tc) |
Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
FET 특징 | Schottky Diode (Body) | - | - | Schottky Diode (Body) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.1mOhm @ 20A, 10V | 18.5mOhm @ 10A, 10V | 6mOhm @ 20A, 10V | 3.4mOhm @ 20A, 10V |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
기본 제품 번호 | SI7792 | SI7804 | SI7784 | SI7794 |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
연속 | SkyFET®, TrenchFET® Gen III | TrenchFET® | TrenchFET® | SkyFET®, TrenchFET® Gen III |
SI7792DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix에 대한 SI7792DP-T1-GE3 PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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