SIA923EDJ-T1-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIA923EDJ-T1-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIA923EDJ-T1-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.4V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| 연속 | TrenchFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 54mOhm @ 3.8A, 4.5V | |
| 전력 - 최대 | 7.8W | |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 8V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A | |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | SIA923 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIA923EDJ-T1-GE3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SIA923EDJ-T1-GE3 | SIA975DJ-T1-GE3 | SIA918EDJ-T1-GE3 | SIA914DJ-T1-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 54mOhm @ 3.8A, 4.5V | 41mOhm @ 4.3A, 4.5V | 58mOhm @ 3A, 4.5V | 53mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - | 1500pF @ 6V | - | 400pF @ 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A | 4.5A | 4.5A (Tc) | 4.5A |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 연속 | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 8V | 26nC @ 8V | 5.5nC @ 4.5V | 11.5nC @ 8V |
| 전력 - 최대 | 7.8W | 7.8W | 7.8W | 6.5W |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| FET 특징 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 12V | 30V | 20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 기본 제품 번호 | SIA923 | SIA975 | SIA918 | SIA914 |
SIA923EDJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix에 대한 SIA923EDJ-T1-GE3 PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
SIA921EDJ-TI-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA975DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6SIA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6SIA921EDJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6LSIA950DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 190V 0.95A SC-70-6SIAA02DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAKSIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA975DJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIA921EDJ-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIA975DJElectro-Films (EFI) / VishaySIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6LSIA921EDJ-T1/GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIA922EDJ-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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