SIB911DK-T1-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIB911DK-T1-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIB911DK-T1-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L Dual | |
| 연속 | TrenchFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 295mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-75-6L Dual | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 115pF @ 10V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 8V | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A | |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | SIB911 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIB911DK-T1-GE3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SIB911DK-T1-GE3 | SIB900EDK-T1-GE3 | SIB912DK-T1-GE3 | SIB422EDK |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SC-75-6L Dual | PowerPAK® SC-75-6L Dual | PowerPAK® SC-75-6L Dual | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A | 1.5A | 1.5A | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
| 전력 - 최대 | 3.1W | 3.1W | 3.1W | - |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 기본 제품 번호 | SIB911 | SIB900 | SIB912 | - |
| FET 특징 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 8V | 1.7nC @ 4.5V | 3nC @ 8V | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V | 20V | 20V | - |
| 연속 | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | - |
| 구성 | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SC-75-6L Dual | PowerPAK® SC-75-6L Dual | PowerPAK® SC-75-6L Dual | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 115pF @ 10V | - | 95pF @ 10V | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 295mOhm @ 1.5A, 4.5V | 225mOhm @ 1.6A, 4.5V | 216mOhm @ 1.8A, 4.5V | - |
SIB911DK-T1-GE3 - Vishay Siliconix에 대한 SIB911DK-T1-GE3 PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
SIB422EDKElectro-Films (EFI) / VishaySIB457EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6SIB456DK-T1-GE3VishaySIB900EDK-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIB408DK-T1-GE3VishaySIB441EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6SIB422EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6SIB455EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6SIB800EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 1.5A PPAK SC75-6SIB437EDKT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6SIB417AEDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6SIB488DK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 9A PPAK SC75-6SIB406EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6SIB433EDK-T1-GE3VishaySIB45N03-13LElectro-Films (EFI) / VishaySIB900EDK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6SIB452DK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75SIB912DK-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
더 나은 가격을 원하십니까? 이 CART 에 추가하십시오. 즉시 연락 드리겠습니다.