SIHG28N65EF-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIHG28N65EF-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIHG28N65EF-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 117mOhm @ 14A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 250W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3249 pF @ 100 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 146 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | SIHG28 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIHG28N65EF-GE3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SIHG28N65EF-GE3 | SIHG24N65E-E3 | SIHG32N50D-GE3 | SIHG33N60E-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 650 V | 500 V | 600 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 28A (Tc) | 24A (Tc) | 30A (Tc) | 33A (Tc) |
| 연속 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 기본 제품 번호 | SIHG28 | SIHG24 | SIHG32 | SIHG33 |
| 전력 소비 (최대) | 250W (Tc) | 250W (Tc) | 390W (Tc) | 278W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 146 nC @ 10 V | 122 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3249 pF @ 100 V | 2740 pF @ 100 V | 2550 pF @ 100 V | 3508 pF @ 100 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 117mOhm @ 14A, 10V | 145mOhm @ 12A, 10V | 150mOhm @ 16A, 10V | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
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SIHG32N50D G32N50DElectro-Films (EFI) / VishaySIHG24N65EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG22N60E-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG24N65E-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO247ACSIHG32N50D-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 30A TO247ACSIHG33N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 33A TO247ACSIHG30N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 29A TO247ACSIHG24N65E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO247ACSIHG22N60S-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
SIHG33N60EVISHYASIHG22N60SElectro-Films (EFI) / VishaySIHG25N50E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 26A TO247ACSIHG30N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG23N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 23A TO247ACSIHG30N60E G30N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG22N60S-E3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySiHG30N60AEL MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG33N60EFElectro-Films (EFI) / Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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