SIHG47N65E-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIHG47N65E-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIHG47N65E-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±30V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 72mOhm @ 24A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 417W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5682 pF @ 100 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 273 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 47A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | SIHG47 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIHG47N65E-GE3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SIHG47N65E-GE3 | SIHG64N65E-GE3 | SIHG80N60E-GE3 | SIHG73N60E-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 전력 소비 (최대) | 417W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SIHG47 | SIHG64 | SIHG80 | SIHG73 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 연속 | - | - | E | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5682 pF @ 100 V | 7497 pF @ 100 V | 6900 pF @ 100 V | 7700 pF @ 100 V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V | 650 V | 600 V | 600 V |
| Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 72mOhm @ 24A, 10V | 47mOhm @ 32A, 10V | 30mOhm @ 40A, 10V | 39mOhm @ 36A, 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 47A (Tc) | 64A (Tc) | 80A (Tc) | 73A (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 273 nC @ 10 V | 369 nC @ 10 V | 443 nC @ 10 V | 362 nC @ 10 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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SIHG64N65E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 64A TO247ACSIHG80N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 80A TO247ACSIHG73N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
SiHG73N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG47N65EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG68N60EElectro-Films (EFI) / Vishay
SIHG47N60SPBF G47N60SIRSIHG47N65E-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySiHG70N60EF-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG47N60EFElectro-Films (EFI) / VishaySIHG47N60EElectro-Films (EFI) / VishaySIHG47N60EF-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 47A TO247ACSIHG47N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 47A TO247ACSIHG73N60E-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIHG47N60S-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIHG47N60E-E3VishaySIHG47N60SElectro-Films (EFI) / VishaySIHG70N60EF-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 70A TO247AC| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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