SIHP30N60E-E3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIHP30N60E-E3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIHP30N60E-E3과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Vishay / Siliconix | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±30V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 125mOhm @ 15A, 10V | |
전력 소비 (최대) | 250W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 | |
패키지 | Tube |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Through Hole | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2600 pF @ 100 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 29A (Tc) | |
기본 제품 번호 | SIHP30 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIHP30N60E-E3와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | SIHP30N60E-E3 | SIHP22N65E-GE3 | SIHP23N60E-GE3 | SIHP33N60E-GE3 |
제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 125mOhm @ 15A, 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 158mOhm @ 12A, 10V | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 600 V | 650 V | 600 V | 600 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 130 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 95 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V |
제조업체 장치 패키지 | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
연속 | - | - | - | - |
패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2600 pF @ 100 V | 2415 pF @ 100 V | 2418 pF @ 100 V | 3508 pF @ 100 V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (최대) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
기본 제품 번호 | SIHP30 | SIHP22 | SIHP23 | SIHP33 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 29A (Tc) | 22A (Tc) | 23A (Tc) | 33A (Tc) |
전력 소비 (최대) | 250W (Tc) | 227W (Tc) | 227W (Tc) | 278W (Tc) |
실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
FET 특징 | - | - | - | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
SIHP30N60E-E3 - Vishay Siliconix에 대한 SIHP30N60E-E3 PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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