SIR188DP-T1-RE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIR188DP-T1-RE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIR188DP-T1-RE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.6V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 연속 | TrenchFET® Gen IV | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.85mOhm @ 10A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1920 pF @ 30 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25.5A (Ta), 60A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | SIR188 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIR188DP-T1-RE3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SIR188DP-T1-RE3 | SIR182DP-T1-RE3 | SIR186LDP-T1-RE3 | SIR402DP-T1-GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 기본 제품 번호 | SIR188 | SIR182 | - | SIR402 |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 30 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.85mOhm @ 10A, 10V | 2.8mOhm @ 15A, 10V | 4.4mOhm @ 15A, 10V | 6mOhm @ 20A, 10V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 연속 | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.6V @ 250µA | 3.6V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1920 pF @ 30 V | 3250 pF @ 30 V | 1980 pF @ 30 V | 1700 pF @ 15 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 25.5A (Ta), 60A (Tc) | 60A (Tc) | 23.8A (Ta), 80.3A (Tc) | 35A (Tc) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | 64 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 7.5V, 10V | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 전력 소비 (최대) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | 69.4W (Tc) | 5W (Ta), 57W (Tc) | 4.2W (Ta), 36W (Tc) |
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SIR182DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SIR180ADP-T1-RE3VishaySiR172DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIR186LDP-T1-RE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWESIR402DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8SiR402DP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8SIR180DP-T1-RE3VishaySIR172DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIR403EDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8SIR316DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIR184DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAKSIR182DP-T1-REElectro-Films (EFI) / VishaySIR172DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8SIR401DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8SIR403EDP-T1Electro-Films (EFI) / VishaySIR402DPElectro-Films (EFI) / Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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