SIRA18DP-T1-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIRA18DP-T1-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIRA18DP-T1-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | +20V, -16V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 연속 | TrenchFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7.5mOhm @ 10A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 33A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | SIRA18 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIRA18DP-T1-GE3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SIRA18DP-T1-GE3 | SIRA28BDP-T1-GE3 | SIRA18ADP-T1-GE3 | SIRA32DP-T1-RE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 21.5 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 21.5 nC @ 10 V | 83 nC @ 10 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 7.5mOhm @ 10A, 10V | 7.5mOhm @ 10A, 10V | 8.7mOhm @ 10A, 10V | 1.2mOhm @ 15A, 10V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 25 V |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (최대) | +20V, -16V | +20V, -16V | +20V, -16V | +16V, -12V |
| 전력 소비 (최대) | 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) | 3.8W (Ta), 17W (Tc) | 14.7W (Tc) | 65.7W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.4V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| 연속 | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | - | TrenchFET® Gen IV |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 33A (Tc) | 18A (Ta), 38A (Tc) | 30.6A (Tc) | 60A (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 기본 제품 번호 | SIRA18 | SIRA28 | SIRA18 | SIRA32 |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1000 pF @ 15 V | 582 pF @ 15 V | 1000 pF @ 15 V | 4450 pF @ 10 V |
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SIRA28BDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8SIRA18ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
SIRA28BDP-T1-GE3-GElectro-Films (EFI) / VishaySIRA18ADP-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIRA14DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIRA32DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8SIRA14DP-T1-GE3-GElectro-Films (EFI) / VishaySIRA18DP-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIRA14DP-T1-GE3##QQQQQQQQSIRA20DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAKSIRA18BDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8SIRA14DP-T1-GE3-UElectro-Films (EFI) / VishaySiRA18DPElectro-Films (EFI) / VishaySIRA20DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIRA24DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8SIRA22ADP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIRA14DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8SIRA18DP-T1-GE3-GElectro-Films (EFI) / Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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