SIZ998BDT-T1-GE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SIZ998BDT-T1-GE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SIZ998BDT-T1-GE3과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Vishay / Siliconix | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | 8-PowerPair® (6x5) | |
연속 | TrenchFET® Gen IV | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V | |
전력 - 최대 | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN | |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
실장 형 | Surface Mount | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V | |
FET 특징 | - | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) | |
구성 | 2 N-Channel (Dual), Schottky | |
기본 제품 번호 | SIZ998 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | SIZ998BDT-T1-GE3 | SIZF906DT-T1-GE3 | SIZ904DT-T1-GE3 | SIZ980DT-T1-GE3 |
제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V | 12nC @ 10V | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
구성 | 2 N-Channel (Dual), Schottky | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) | 60A (Tc) | 12A, 16A | 20A (Tc), 60A (Tc) |
실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V | 435pF @ 15V | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TA) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
전력 - 최대 | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) | 38W (Tc), 83W (Tc) | 20W, 33W | 20W, 66W |
연속 | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
FET 특징 | - | - | Logic Level Gate | - |
제조업체 장치 패키지 | 8-PowerPair® (6x5) | 8-PowerPair® (6x5) | 6-PowerPair™ | 8-PowerPair® (6x5) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V | 24mOhm @ 7.8A, 10V | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
기본 제품 번호 | SIZ998 | SIZF906 | SIZ904 | SIZ980 |
패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 6-PowerPair™ | 8-PowerWDFN |
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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