SQM120P10_10M1LGE3 기술 사양
Vishay Siliconix - SQM120P10_10M1LGE3 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - SQM120P10_10M1LGE3과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263 (D²Pak) | |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.1mOhm @ 30A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9000 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | P-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | SQM120 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix SQM120P10_10M1LGE3와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | SQM120P10_10M1LGE3 | SQM120N10-3M8_GE3 | SQM40041EL_GE3 | SQM40031EL_GE3 |
| 제조사 | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| 연속 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 전력 소비 (최대) | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 157W (Tc) | 375W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 100 V | 40 V | 40 V |
| FET 유형 | P-Channel | N-Channel | P-Channel | P-Channel |
| 기본 제품 번호 | SQM120 | SQM120 | SQM40041 | SQM40031 |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) | TO-263 (D²Pak) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.1mOhm @ 30A, 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 3.4mOhm @ 25A, 10V | 3mOhm @ 30A, 10V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | 190 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V | 800 nC @ 10 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9000 pF @ 25 V | 7230 pF @ 25 V | 23600 pF @ 25 V | 39000 pF @ 25 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
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SQM120P06-07LVISHSQM120N10-3M8_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 120A TO263
SQM120P04-04L-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySQM40041EL_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 120A TO263SQM120P06Electro-Films (EFI) / VishaySQM25N15-52VISHSQM40N10-30-GE3VBSEMISQM40061EL-GE3VishaySQM40N10-30VISHSQM120P04-04L_GE3VishaySQM40031EL_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 120A D2PAKSQM40N15-38VISHSQM120P06-07L_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 120A TO263SQM200N04-1M1L_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 200A TO263-7SQM120P04-04LVISHSQM120P10-10m1LElectro-Films (EFI) / VishaySQM25N15-52-GE3VBSEMISQM120P06-07L-GE3Vishay| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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