C3M0120090D 기술 사양
Wolfspeed, Inc. - C3M0120090D 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Wolfspeed, Inc. - C3M0120090D과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Wolfspeed | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 3mA | |
| Vgs (최대) | +18V, -8V | |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 연속 | C3M™ | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 155mOhm @ 15A, 15V | |
| 전력 소비 (최대) | 97W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 414 pF @ 600 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.3 nC @ 15 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | C3M0120090 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Wolfspeed, Inc. C3M0120090D와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | C3M0120090D | C3M0032120D | C3M0120100K | C3M0065090J-TR |
| 제조사 | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 155mOhm @ 15A, 15V | 43mOhm @ 40A, 15V | 155mOhm @ 15A, 15V | 78mOhm @ 20A, 15V |
| 기본 제품 번호 | C3M0120090 | C3M0032120 | C3M0120100 | C3M0065090 |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V | 15V | 15V | 15V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 17.3 nC @ 15 V | 114 nC @ 15 V | 21.5 nC @ 15 V | 30 nC @ 15 V |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 900 V | 1200 V | 1000 V | 900 V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 연속 | C3M™ | C3M™ | C3M™ | C3M™ |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs (최대) | +18V, -8V | +15V, -4V | ±15V | +19V, -8V |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 전력 소비 (최대) | 97W (Tc) | 283W (Tc) | 83W (Tc) | 113W (Tc) |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 414 pF @ 600 V | 3357 pF @ 1000 V | 350 pF @ 600 V | 660 pF @ 600 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A (Tc) | 63A (Tc) | 22A (Tc) | 35A (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 3.5V @ 3mA | 3.6V @ 11.5mA | 3.5V @ 3mA | 2.1V @ 5mA |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-4L | TO-263-7 |
| 과학 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
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C3M0032120DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3C3M0120100KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4LC3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7C3M0065090DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 36A TO247-3C3M0015065KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 650V 120A TO247-4LC3M0075120DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3C3M0021120KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
FDPF15N65onsemiMOSFET N-CH 650V 15A TO220FC3M0040120KWolfspeed, Inc.1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0120090JWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7C3M0021120DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
NTD4906NT4GonsemiMOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAKC3M0280090DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
C3M0075120D MOSCree LED
FDS8449onsemiMOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOICC3M0060065KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 650V 37A TO247-4LC3M0032120KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LC3M0075120KWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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