11월15일에서 99

IRLML6402 트랜지스터 안내서 : 핀 구성, 기능 및 데이터 시트

Infineon Technologies에서 개발 한 IRLML6402는 강력하고 효율적인 전력 관리가 필요한 응용 프로그램을 위해 특별히 제작 된 강력한 P 채널 헥스 피트 MOSFET으로, 강력한 P 채널 헥스 피트 MOSFET입니다.-20V 임계 값과 공간 절약 Micro3 (SOT-23) 패키지에 보관 된이 MOSFET은 강력한 전기 성능을 최소 열 영향과 결합하여 소규모 고효율 회로에 이상적입니다.이 기사는 전력 전자 장치의 독특한 낮은 저항성, 정확한 임계 값 제어, 핀 구성 및 광범위한 응용 프로그램 전위를 탐색합니다.이러한 기능을 강조하면 IRLML6402가 다양한 기술 환경에서 시스템 효율성, 안정성 및 설계 유연성을 향상시키는 방법을 알게됩니다.

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IRLML6402의 개요

그만큼 irlml6402 -20V에서 작동하도록 설계된 P 채널 Hexfet Power MOSFET입니다.매끄럽고 최소한의 micro3 (SOT-23) 패키지로 둘러싸여 있습니다.이 MOSFET은 탄력성 및 신속한 스위칭 기능과 함께 컴팩트 한 차원에 비해 인상적인 저항성을 자랑스럽게 특징으로합니다.이러한 요소는 배터리 관리, 휴대용 장치, PCMCIA 카드 및 소형 인쇄 회로 보드와 같은 광범위한 컨텍스트에서 효율성과 신뢰성을 모두 향상시키기위한 다양한 옵션으로 만듭니다.

국제 정류기의 최첨단 제조 기술은 저항성의 탁월한 감소를 달성합니다.이 기능은 HEXFET® MOSFET의 전형적인 빠른 스위칭 및 튼튼한 디자인과 결합 된 수많은 장치에서 전력 및 하중 관리를위한 귀중한 수단을 제공합니다.열적으로 최적화 된 리드 프레임이 장착 된 Micro3 패키지는 업계에서 가장 작은 발자국, 완벽하게 적합한 공간 제한 응용 프로그램을 차지합니다.1.1mm 미만의 로우 프로파일은 가장 매끄러운 전자 설계를 수용하면서 우수한 열 성능 및 전력 관리를 제공합니다.

실제 시나리오에서 IRLML6402는 최소화 된 전력 손실을 통해 배터리 수명을 향상시켜 배터리 관리 시스템에서 가치가 있음을 증명합니다.휴대용 장치에서도 최소 크기와 효과적인 성능은 장치 수명 및 신뢰성을 확장하는 역할을합니다.전자 시스템 설계와 관련된 사람들의 경우 이러한 구성 요소를 통합하면 워크 플로가 크게 완화되어 장치가 이상적인 열 매개 변수 내에서 작동하도록합니다.

핀 구성

CAD 모델

상징

발자국

3D 시각화

IRLML6402의 특성

특징	설명
유형	P 채널 MOSFET
패키지	SOT-23 발자국
윤곽	로우 프로파일 (<1.1mm)
포장	테이프와 릴로 제공됩니다
전환	빠른 스위칭
규정 준수	무연하고 할로겐이 없습니다
드레인-소스 전압 (VDS)	-20V
게이트 간 전압 (VGS)	± 12V
온 저항 (RDS (on))	VGS -2.5V에서 80MΩ
전력 소실 (PD)	25 ° C에서 1.3W
연속 드레인 전류 (ID)	VGS -4.5V 및 25 ° C에서 -3.7A
작동 정션 온도 범위	-55 ° C ~ 150 ° C
열 비만 계수	0.01W/° C

기술 사양

인피온 기술 irlml6402tr 사양 및 속성 테이블.

유형	매개 변수
장착 유형	표면 마운트
패키지 / 케이스	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
표면 마운트	예
트랜지스터 요소 재료	규소
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ℃	3.7a ta
요소 수	1
작동 온도 (최대)	150 ° C
포장	컷 테이프 (CT)
시리즈	Hexfet®
게시	2003
JESD-609 코드	E3
부품 상태	쓸모없는
수분 감도 수준 (MSL)	1 (무제한)
종료 수	3
ECCN 코드	귀 99
터미널 마감	무광택 주석 (SN)
추가 기능	높은 신뢰성
터미널 위치	이중
터미널 형태	갈매기 날개
피크 리플 로우 온도 (셀)	260
Time @ Peak Reflow Temp-Max (S)	30
JESD-30 코드	R-PDSO-G3
자격 상태	자격이 없습니다
구성	내장 다이오드가있는 싱글
작동 모드	향상 모드
FET 유형	P 채널
트랜지스터 응용 프로그램	전환
rds on (max) @ id, vgs	65mΩ @ 3.7a, 4.5V
vgs (th) (max) @ id	1.2V @ 250μa
입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds	633pf @ 10V
게이트 충전 (QG) (Max) @ Vgs	12NC @ 5V
소스 전압 (VDS)으로 배수	20V
JEDEC-95 코드	TO-236AB
배수 current-max (abs) (id)	3.7a
저항 함에서 배수 소스	0.065Ω
펄스 드레인 전류-함량 (IDM)	22A
DS 파괴 전압-	20V
눈사태 에너지 등급 (EA)	11 MJ
전력 소실-균관 (ABS)	1.3W
ROHS 상태	비 로HS 준수

블록 다이어그램

테이프 및 릴 정보

응용 프로그램

3C 디지털 장치

3C (컴퓨터, 커뮤니케이션, 소비자) 디지털 장치의 구역에서 IRLML6402는 에너지 효율과 장치 대응 성을 강하게 향상시킵니다.예를 들어 스마트 폰, 노트북 및 디지털 카메라는 저전압 트랜지스터에 의존하여 배터리 수명을 높이고 성능을 최적화합니다.이로 인해 현재 장치의 원활한 멀티 태스킹 기능에서 분명한 경험이 향상됩니다.경험에 따르면 전략적 구성 요소 선택을 통해 제조업체는 전력 사용량과 장치 내구성 사이의 조화를 이루는 것으로 나타났습니다.

의료 전자 장치

의료 전자 제품에서 IRLML6402는 신뢰성과 정밀도로 두드러집니다.휴대용 초음파 기계 및 환자 모니터링 시스템과 같은 기기는 안정적인 전원 공급 장치가 중요한 가변 하중에서 정확한 판독 값이 필요합니다.실제 애플리케이션의 통찰력에 따르면 견고한 구성 요소의 사용은 장치 기능을 향상시킬뿐만 아니라 의학적 발전에 대한 신뢰도를 높이고 있음을 나타냅니다.

사물 인터넷 (IoT)

사물 인터넷은 IRLML6402가 중요한 역할을하는 기술 환경을 재구성하고 있습니다.Smart Homes 및 Industries에서 IoT 장치가 번식함에 따라 효율적인 전력 관리가 필수가됩니다.이 구성 요소는 에너지 사용량을 줄이면서 연결성과 응답 성을 향상시킵니다.관찰에 따르면 혁신적인 설계와 함께 에너지 소비를위한 응집력있는 전략은 효과적 일뿐 만 아니라 지속 가능성을 촉진하는 장치를 촉진합니다.

새로운 에너지 솔루션

태양 광 인버터 및 풍력 터빈 컨트롤러와 같은 새로운 에너지 솔루션에서 IRLML6402는 효과적인 에너지 전환 및 관리를 지원합니다.세계가 재생 에너지에 의존함에 따라 전력 손실을 최소화하는 장치를 사용하면 전환 속도를 높일 수 있습니다.실질적인 학습에 따르면 시스템 효율성 향상은 에너지 절약 및 시스템 신뢰성에 크게 기여하여 지속 가능성 노력에서 이러한 구성 요소의 역할을 강조합니다.

배터리 시스템

리튬 이온 및 니켈 메탈 수 소화물과 같은 다양한 배터리 시스템과의 IRLML6402의 호환성은 주목할 만하다.충전 및 배출 프로세스에 대한 정확한 제어가 필요한 배터리 관리 시스템에 유용합니다.실제 시나리오는 안전을 보장하면서 배터리 수명을 연장하기 위해 적절한 트랜지스터를 선택하는 것의 중요성을 강조합니다.배터리 기술의 정확한 파악은 설계 선택을 유도하여 성능을 향상시키고 기대치를 충족시킵니다.

로드 관리

로드 관리의 경우 IRLML6402는 회로 전반에 걸쳐 전력 분포를 제어하는 ​​데 주목할만한 이점을 제공합니다.시스템 과부하를 피하면서 효율적인 에너지 할당을 용이하게하여 고장을 방지합니다.에너지 분포 시스템의 통찰력에 따르면 전략적 부하 관리는 전반적인 시스템 탄력성을 향상시켜 균형 잡힌 에너지 분포를 지원하는 구성 요소의 능력을 보여줍니다.

휴대용 전자 장치

휴대용 전자 장치에서 IRLML6402의 가볍고 컴팩트 한 디자인은 성능을 희생하지 않고 혁신적인 제품 구성을 가능하게합니다.웨어러블 및 휴대용 충전기는 빠른 전력 소비량으로 절정에 이르는 빠른 스위칭 기능의 혜택을받습니다.설계 경험은 선호도에 참석하면 제품 내에서 최적의 구성 요소 선택 및 배열을 조종 할 수 있음을 보여줍니다.

PCMCIA 카드

PCMCIA 카드 애플리케이션에서 IRLML6402는 최소한의 전력 활용을 유지하면서 연결 옵션을 강화합니다.이 유연성은 높은 대역폭과 적응성을 요구하는 장치의 경우 활성화됩니다.지속적인 통신 기술의 발전은 현명한 구성 요소 선택의 이점을 보여주는 신속한 진행을 따라갈 수있는 구성 요소를 요구합니다.

공간에 민감한 회로 보드

우주 의식 회로 보드 설계의 경우, IRLML6402는 부동산의 프리미엄을 고려할 때 대부분 적합합니다.효율성은 더 높은 성능 밀도, 소형 전자 제품의 필수품을 가능하게합니다.회로 보드 레이아웃을 적응하면 세심한 계획 및 구성 요소 선택이 기능을 손상시키지 않고 더 작고 강력한 장치를 생성 할 수 있습니다.

DC 스위칭 응용 프로그램

DC 스위칭 애플리케이션에서 IRLML6402는 신속하고 신뢰할 수있는 스위칭 솔루션을 제공하여 탁월합니다.작동 특성은 속도와 효율성을 모두 향상시키는 우수한 회로 설계로 이어질 수 있습니다.현장 관찰은 스위칭 요구를 이해하면 운영 효능을 극대화하면서 기대를 충족시키는 회로 생성을 허용한다고 제안합니다.

로드 스위칭

로드 스위칭에서 IRLML6402의 역할은 유연성을 강조합니다.시스템 무결성을 위해 활성화 된 다양한 시스템 내에서 전력 분배를 효과적으로 제어 할 수 있도록합니다.산업 일화는 부하 스위칭을 최적화하면 상당한 에너지 절약과 장치 수명을 확장하여 현대 전자 제품에서 중요성을 강화시킬 수 있음을 나타냅니다.

패키지

제조업체

1999 년 4 월 1 일, Siemens Semiconductors는 Infineon Technologies라는 이름을 채택하여 변형적 인 브랜드 변경을 경험했습니다.이러한 변화는 끊임없이 진화하는 미세 전자 환경 내에서 경쟁력에 대한 중요한 약속을 나타 냈습니다.Infineon은 저명한 디자이너 및 제조업체로 부상하여 논리 장치, 혼합 신호 및 아날로그 통합 회로, 개별 반도체 제품을 포함한 다양한 응용 프로그램을 위해 제작 된 다양한 제품 포트폴리오를 제시했습니다.

미세 전자 공학 부문은 고급 전자 솔루션에 대한 수요가 증가함에 따라 일정한 혁신주기에 의해 정의됩니다.Infineon은 현재 시장 역학에 대한 급격한 인식을 보여 주며 자동차 전자 제품, 산업 자동화 및 사물 인터넷 (IoT)과 같은 심각한 성장 세그먼트에 중점을 둡니다.AI 및 기계 학습을 포함한 신흥 기술을 효과적으로 활용하는 회사는 종종 진화하고 번성 할 수있는 유리한 위치에 있습니다.Infineon의 연구 개발에 대한 대상 투자는 차세대 반도체 혁신의 창출에 대한 책임을주는 야심에 대한 증거입니다.