그만큼 IRF9640 까다로운 전력 요구 사항을 충족하도록 설계된 P 채널 향상 모드 실리콘 게이트 전력 필드 효과 트랜지스터입니다.고장 눈사태 모드에서 특정 수준의 에너지를 처리하기 위해 구축되어 고성능 응용 분야에서 신뢰할 수 있습니다.이 MOSFET은 스위칭 레귤레이터, 컨버터, 모터 드라이버 및 릴레이 드라이버와 같은 다양한 용도에 적합합니다.눈에 띄는 기능 중 하나는 높은 입력 임피던스로, 통합 회로에서 직접 작동 할 수 있습니다.이로 인해 다양한 전자 설계에있어 다재다능 할뿐만 아니라 효율적이고 효과적인 작동이 가능합니다.

IRF9640 핀 구성

IRF9640 CAD 모델

IRF9640 기호

IRF9640 발자국

IRF9640 Footprint

IRF9640 3D 모델

IRF9640 3D Model

IRF9640 사양

Vishay Siliconix IRF9640의 비슷한 사양을 가진 기술 사양, 기능, 특성 및 구성 요소.

유형	매개 변수
산	구멍을 통해
장착 유형	구멍을 통해
패키지 / 케이스	TO-220-3
핀 수	3
공급 업체 장치 패키지	TO-220AB
무게	6.000006g
전류 - 연속 드레인 (ID) @ 25 ℃	11A TC
구동 전압 (최대 RDS 켜짐, 최소 RDS)	10V
요소 수	1
전력 소실 (최대)	125W TC
지연 시간을 끕니다	39 ns
작동 온도	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
포장	튜브
게시	2011
부품 상태	쓸모없는
수분 감도 수준 (MSL)	1 (무제한)
최대 작동 온도	150 ° C
최소 작동 온도	-55 ° C
전압 - 정격 DC	-200V
현재 등급	-11a
채널 수	1
요소 구성	하나의
전력 소산	125W
지연 시간을 켜십시오	13 ns
FET 유형	P 채널
rds on (max) @ id, vgs	500mohm @ 6.6a, 10V
vgs (th) (max) @ id	4V @ 250μa
입력 커패시턴스 (CISS) (max) @ vds	1200pf @ 25V
게이트 충전 (QG) (Max) @ Vgs	44NC @ 10V
상승 시간	43ns
소스 전압 (VDS)으로 배수	200V
VGS (Max)	± 20V
가을 시간 (유형)	38 ns
연속 드레인 전류 (ID)	11a
소스 전압 (VGS)에 게이트	20V
입력 커패시턴스	1.2NF
소스 저항으로 배수	500mohm
Max의 RDS	500 MΩ
키	9.01mm
길이	10.41mm
너비	4.7mm
ROHS 상태	비 로HS 준수
무료로 리드	리드를 포함합니다

IRF9640 주요 기능

트랜지스터 유형

IRF9640은 P 채널 트랜지스터이며, 특히 신뢰할 수있는 전력 처리가 필요한 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다.이 유형의 트랜지스터는 P 채널 구성이 선호되는 회로에서 전환 및로드 관리 작업에 이상적입니다.이 설계는 정밀도와 효율로 고출력 장치를 제어하는 데 적합합니다.

패키지 유형

TO-220 패키지로 제공되는 IRF9640은 사용 편의성과 효율적인 열 소산을 위해 제작되었습니다.To-220 패키지는 강력한 설계로 널리 인식되어 다양한 열 및 기계적 응력 하에서도 트랜지스터가 안정적으로 유지되도록합니다.이 기능을 사용하면 효과적인 냉각을 위해 회로 보드 또는 방열판에 간단하게 장착 할 수 있습니다.

소스 전압에서 최대 배수

IRF9640은 -200V의 최대 드레인-소스 전압을 처리 할 수 있습니다.이 고전압 용량을 사용하면 상당한 전압 관리가 필요한 회로에서 효과적으로 수행 할 수 있습니다.산업 전력 시스템이든 소규모 전자 제품이든,이 기능은 스트레스가 많은 조건에서 안정적으로 유지되도록합니다.

소스 전압에서 최대 게이트

게이트 투 소스 전압 범위가 ± 20V 인이 MOSFET은 입력 신호 관리의 유연성을 제공합니다.이 특성을 사용하면 간단한 컨트롤러에서 고급 전원 관리 시스템에 이르기까지 IRF9640을 다양한 회로 설계에 완벽하게 통합 할 수 있습니다.

최대 연속 드레인 전류

-11A의 연속 배수 전류를 처리 할 수있는 IRF9640은 중등도에서 높은 전류 수요가있는 회로에 적합합니다.이를 통해 모터, 전원 공급 장치 또는 일관된 전류 흐름이 필요한 기타 시스템과 관련된 응용 프로그램에 탁월한 선택이됩니다.

상태에서 저항을 소스로 배출하십시오

단지 500 MΩ의 국가 저항은 IRF9640의 중요한 이점입니다.이 저항은 작동 중 전력 손실을 최소화하여 회로의 전반적인 효율을 향상시킵니다.또한 열 생성을 줄여 장치의 신뢰성과 수명에 기여합니다.

최대 펄스 배수 전류

IRF9640은 최대 -44A의 펄스 배수 전류를 지원하며, 이는 짧고 고전류 버스트를 경험하는 응용 분야에 유용합니다.이 기능은 장치의 성능을 손상시키지 않으면 서 가끔 고출력 서지가 필요한 시스템에 신뢰할 수있는 선택입니다.

최대 전력 소산

IRF9640은 최대 125W의 전력을 소산 할 수있는 능력으로 인해 상당한 열 부하를 효과적으로 관리하도록 설계되었습니다.이 기능은 고전력 회로에 대한 강력한 옵션이되어 까다로운 조건에서도 작동 상태를 유지하도록합니다.

저장 및 작동 온도

IRF9640은 -55 ° C ~ 150 ° C의 넓은 온도 범위에서 작동하므로 극한 환경에서 사용하기에 적합합니다.차가운 야외 조건 또는 고온 산업 응용 프로그램을 설계하든이 트랜지스터는 열 응력을 처리하는 데 필요한 신뢰성을 제공합니다.

IRF9640의 장점

동적 DV/DT 등급

IRF9640은 빠른 전압 변경을 쉽게 처리하도록 설계되었습니다.이 기능은 빠른 스위칭이 필요한 고속 응용 분야에 적합하여 장치에 손상을 입지 않고 안정성과 성능을 보장합니다.

반복적 인 눈사태 등급

이 기능은 IRF9640이 반복적 인 눈사태 조건을 견딜 수 있도록하여 전압 스파이크가 발생하기 쉬운 회로의 내구성과 신뢰성을 제공합니다.특히 전력에 민감한 응용 분야에서 추가 보호 계층을 추가합니다.

P 채널 디자인

이 트랜지스터의 P 채널 구성은 특히 하중 하중 스위칭이 필요한 회로에 유리합니다.설계는 회로 복잡성을 단순화하고 필요한 구성 요소의 수를 줄여서 어셈블리 중에 공간과 노력을 모두 저장합니다.

빠른 스위칭

IRF9640의 빠른 스위칭 기능은 타이밍과 속도가 중요한 회로의 성능을 향상시킵니다.이를 통해 전원 공급 장치, 컨버터 및 모터 컨트롤러와 같은 고주파 응용 프로그램에 탁월한 선택이됩니다.

평행의 용이성

IRF9640은 다른 MOSFET과 쉽게 평행을 이룰 수 있으므로 필요할 때 전류 처리 기능을 확장 할 수 있습니다.이러한 유연성으로 인해 여러 장치가 작동 해야하는 고전력 애플리케이션에 선호되는 옵션이됩니다.

간단한 드라이브 요구 사항

드라이브 요구 사항이 낮 으면 IRF9640은 마이크로 컨트롤러, 통합 회로 또는 기타 저전력 장치에 의해 직접 제어 될 수 있습니다.이를 통해 추가 드라이버 구성 요소, 회로 설계 단순화 및 비용 절감이 필요하지 않습니다.

ROHS 준수

ROHS 호환 장치로서 IRF9640은 환경 표준을 준수하여 위험 물질이 없도록합니다.이 규정 준수는 규제 요구 사항을 충족 할뿐만 아니라 지속 가능하고 친환경 제품 개발을 지원합니다.

IRF9640 테스트 회로도

IRF9640 외부 에너지 테스트 회로 및 파형

IRF9640 Unclamped Energy Test Circuit and Waveforms

IRF9640 스위칭 시간 테스트 회로 및 파형

IRF9640 Switching Time Test Circuit and Waveforms

IRF9640 게이트 충전 테스트 회로 및 파형

IRF9640 Gate Charge Test Circuit and Waveforms

IRF9640 대체 부품

부품 번호	설명	제조업체
IRF9640 트랜지스터	11a, 200v, 0.5ohm, p 채널, Si, 전력, MOSFET, TO-220AB	Rochester Electronics LLC
IRF9640-009 트랜지스터	전력 필드 효과 트랜지스터, 11A I (D), 200V, 0.5OHM, 1- 요소, P 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, TO-220AB	Vishay intertechnologies
IRF9640-001 트랜지스터	전력 필드 효과 트랜지스터, 11A I (D), 200V, 0.5OHM, 1- 요소, P 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET	국제 정류기
IRF9640-010 트랜지스터	전력 필드 효과 트랜지스터, 11A I (D), 200V, 0.5OHM, 1- 요소, P 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, TO-220AB	국제 정류기
IRF9640-006 트랜지스터	전력 필드 효과 트랜지스터, 11A I (D), 200V, 0.5OHM, 1- 요소, P 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, TO-220AB	Vishay intertechnologies
IRF9640PBF 트랜지스터	전력 필드 효과 트랜지스터, 11A I (D), 200V, 0.5OHM, 1- 요소, P 채널, 실리콘, 금속-산화물 반도체 FET, TO-220AB, ROHS 준수 패키지 -3	Vishay intertechnologies

IRF9640의 등가

• 2SJ513

• CEP14P20

• IRF9640PBF

• 9640 년대

• IRFP9240

• MTW14P20

• IRF044

• IRF044SMD

• IRF054

• IRF054SMD

• IRF100B201

• IRF100B202

IRF9640 용도

IRF9640은 TO -220 패키지의 P 채널 MOSFET으로 -11A의 연속 드레인 전류와 -200V의 최대 부하 전압을 처리하도록 설계되었습니다.다양한 스위칭 및 증폭 응용 프로그램에 이상적이며 빠른 성능이 필요한 회로에 빠른 스위칭 속도를 제공합니다.배수 대 소스 저항이 500 MΩ 인 경우 전력 손실을 최소화하여 회로를보다 효율적으로 만듭니다.또한 드라이브 요구 사항이 낮 으면 IC, 마이크로 컨트롤러 및 Arduino와 같은 플랫폼과 직접 작업 할 수 있습니다.

IRF9640의 응용

스위칭 레귤레이터

IRF9640은 조절기를 전환하는 데 잘 작동하여 전압을 제어하고 꾸준한 출력을 유지하는 데 도움이됩니다.이로 인해 효율적인 전압 조절이 필요한 전원 공급 장치 회로에 신뢰할 수있는 선택이됩니다.

전환 변환기

변환기를 전환하는 데 IRF9640을 사용하여 전력을 한 형태에서 다른 형태로 변환 할 수 있습니다.고속 스위칭을 처리하는 능력은 최소한의 에너지 손실을 보장하여 회로의 전반적인 성능을 향상시킵니다.

중단되지 않은 전원 공급 장치

중단되지 않은 전원 공급 장치에서 IRF9640은 정전 동안 일관된 전력 흐름을 유지하는 데 도움이됩니다.신뢰성은 백업 전원 설정과 같은 지속적인 전원 전달이 필요한 시스템에 적합합니다.

배터리 충전기

IRF9640은 종종 충전 프로세스를 효율적으로 관리하는 데 배터리 충전기에 사용됩니다.배터리가 과충전을 방지하기 위해 전류를 조절하고 안전하고 효과적인 충전주기를 보장합니다.

태양 광 응용

태양계의 경우 IRF9640은 태양 전지판으로 생성 된 전력을 관리하고 최적화하는 데 도움이됩니다.효율적인 에너지 전달을 지원하므로 태양 광 인버터 및 컨트롤러에서 신뢰할 수있는 구성 요소가됩니다.

모터 드라이버

IRF9640은 모터 드라이버 회로에 이상적이므로 운동 속도와 방향을 부드럽고 정확하게 제어 할 수 있습니다.높은 전류를 처리하는 능력은 모터 기반 응용 분야에서 안정적인 성능을 보장합니다.

릴레이 드라이버

IRF9640을 고출력 장치를 제어 해야하는 회로의 릴레이의 드라이버로 사용할 수 있습니다.안정적이고 효율적인 작동을 제공하여 릴레이 기반 시스템의 원활한 기능을 보장합니다.

IRF9640의 포장 정보

Packaging Information of IRF9640 (2)

IRF9640의 제조업체 세부 사항

IRF9640은 전력 반도체 제품 분야의 신뢰할 수있는 이름 인 Vishay에 의해 개발되었습니다.Vishay는 Siliconix 자회사를 통해 전력 관리 시스템의 효율성을 향상시키는 솔루션을 만드는 데 중점을 두었습니다.그들의 제품은 구성 요소에 필요한 공간을 줄이는 것으로 유명하여 휴대용 및 소형 장치에 이상적입니다.Vishay는 저전압 파워 MOSFET을 제공하는 선도적 인 공급 업체로서 전자 시스템의 개선 된 운영, 특히 핸드 헬드 및 배터리 구동 장치에서 신뢰할 수있는 구성 요소를 제공하는 것으로 명성을 얻었습니다.

IRF9640과 비슷한 사양을 가진 부품

매개 변수	IRF9640	IRFI640GPBF	FQPF10N20C	IRF630FP	IRLS640A
제조업체	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	반도체에서	stmicroelectronics	반도체에서
산	구멍을 통해	구멍을 통해	구멍을 통해	구멍을 통해	구멍을 통해
패키지 / 케이스	TO-220-3	TO-220-3 풀 팩	TO-220-3 풀 팩	TO-220-3 풀 팩	TO-220-3 풀 팩
소스 전압으로 배수	200V	-	-	200V	-
연속 드레인 전류	11A (TC)	9.5A (TC)	9.8A (TC)	9.8A (TC)	9A (TC)
현재 - 연속	11A (TC)	9.5A (TC)	9.8A (TC)	9.8A (TC)	9A (TC)
Max의 RDS	500mΩ	-	-	180mΩ	-
소스 전압 (VGS)에 게이트	20V	30V	20V	20V	20V
전력 소산	125W	38W	40W	40W	30W
전력 소실 (TC)	125W (TC)	38W (TC)	40W (TC)	40W (TC)	30W (TC)

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Allelco은 국제적으로 유명한 원 스톱입니다 Hybrid Electronic 구성 요소의 조달 서비스 유통 업체는 글로벌 전자 500 OEM 공장 및 독립 중개인을 포함하여 글로벌 전자 제조 및 유통 산업에 포괄적 인 구성 요소 조달 및 공급망 서비스를 제공하기 위해 노력합니다.
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자주 묻는 질문 [FAQ]

1. IRF9640은 무엇이며 무엇을합니까?

IRF9640은 향상 모드가있는 P 채널 전력 MOSFET입니다. 설계.고장시 특정 에너지 수준을 처리하도록 만들어졌습니다. 눈사태 모드.따라서 전환과 같은 작업에 적합합니다 규제 기관, 모터 제어 및 전력 변환.높은 입력 임피던스는 통합 회로와 직접 작업 할 수 있습니다. 추가 구성 요소.

2. 장기 동안 IRF9640을 어떻게 안전하게 사용할 수 있습니까?

IRF9640이 장기간 안정적으로 작동하는지 확인하려면 최대 등급보다 낮습니다.예를 들어, 전류를 -8.8A 미만으로 유지하십시오 -160V 미만의 전압.적절한 히트 싱크를 추가하면 관리에 도움이됩니다 효과적으로 가열하고 작동 온도를 -55 ° C 사이로 유지합니다 150 ° C는 손상을 예방하는 데 도움이됩니다.