IRFHM8330TRPBF 기술 사양
International Rectifier - IRFHM8330TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 International Rectifier - IRFHM8330TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.35V @ 25µA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.6mOhm @ 20A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 2.7W (Ta), 33W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 패키지 | Bulk | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1450 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta), 55A (Tc) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 International Rectifier IRFHM8330TRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFHM8330TRPBF | IRFHM8337TRPBF | IRFHM830TRPBF | IRFHM831TRPBF |
| 제조사 | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1450 pF @ 25 V | 755 pF @ 15 V | 2155 pF @ 25 V | 1050 pF @ 25 V |
| 패키지 | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 전력 소비 (최대) | 2.7W (Ta), 33W (Tc) | 2.8W (Ta), 25W (Tc) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | 8.1 nC @ 4.5 V | 31 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 6.6mOhm @ 20A, 10V | 12.4mOhm @ 12A, 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속 | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 25µA |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (3.3x3.3) | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) | PQFN (3x3) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 16A (Ta), 55A (Tc) | 12A (Ta) | 21A (Ta), 40A (Tc) | 14A (Ta), 40A (Tc) |
IRFHM8337TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A 8PQFNIRFHM831TRPBF MOSIRIRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFNIRFHM831IRIRFHM831TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFNIRFHM8363TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFNIRFHM8363TRPBF.IRIRFHM8334IRIRFHM8329IRIRFHM8330IRIRFHM8363TRIRIRFHM831TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A PQFNIRFHM8337IRIRFHM8342TRPBFInternational RectifierIRFHM8342 - 12V-300V N-CHANNEL PIRFHM8334TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DLIRFHM8342IRIRFHM8329TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFNIRFHM8326TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 25A PQFN| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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