IRFHM8363TRPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRFHM8363TRPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRFHM8363TRPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.35V @ 25µA | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14.9mOhm @ 10A, 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.7W | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1165pF @ 10V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 10V | |
| FET 특징 | Logic Level Gate | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A | |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | |
| 기본 제품 번호 | IRFHM8363 |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRFHM8363TRPBF | IRFHM9331 | IRFHM8334 | IRFHS8242TRPBF |
| 제조사 | Infineon Technologies | IRF | IR | Infineon Technologies |
| FET 특징 | Logic Level Gate | - | - | - |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.35V @ 25µA | - | - | 2.35V @ 25µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC @ 10V | - | - | 10.4 nC @ 10 V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30V | - | - | 25 V |
| 기본 제품 번호 | IRFHM8363 | - | - | IRFHS8242 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | - | - | Tape & Reel (TR) |
| 연속 | HEXFET® | - | - | HEXFET® |
| 전력 - 최대 | 2.7W | - | - | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1165pF @ 10V | - | - | 653 pF @ 10 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 14.9mOhm @ 10A, 10V | - | - | 13mOhm @ 8.5A, 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A | - | - | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
| 실장 형 | Surface Mount | - | - | Surface Mount |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | - | - | 6-PQFN (2x2) (DFN2020) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN | - | - | 6-PowerVDFN |
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IRFHM9331IRFIRFHM8334IRIRFHS8242TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 9.9A/21A 6PQFNIRFHM9331TRPBF MOSIRIRFHM8342IRIRFHM8337IRIRFHM9391IRIRFHM8330TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 16A/55A 8PQFNIRFHM8342TRPBFInternational RectifierIRFHM8342 - 12V-300V N-CHANNEL PIRFHM9391TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A 8PQFNIRFHS8242TRPBF MOSIRIRFHS8242TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 9.9A PQFNIRFHM8363TRPBF.IRIRFHM8363TRIRIRFHM9331TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFNIRFHM8330IRIRFHM8337TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A 8PQFNIRFHM8334TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DL| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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