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New Zealand(Maori) Brazil(Português) Angola(Português) Mozambique(Português)
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제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글IRLI3705NPBF
IRLI3705NPBF Image
이미지는 참조용으로만 제공되며 제품에 대한 자세한 내용은 사양을 참조하십시오.

IRLI3705NPBF - Infineon Technologies

제조사 제품 모델
IRLI3705NPBF
제조사
Infineon Technologies
Allelco 제품 모델
32D-IRLI3705NPBF
ECAD 모델
부품 설명
MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB FP
상세 설명
포장
TO-220-3 Full Pack
데이터 시트
IRLI3705NPBF.pdf
RoHS 상태
유품: 33363

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수량

규격

IRLI3705NPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRLI3705NPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRLI3705NPBF과 유사한 사양을 가진 부품

제품 속성 속성 값  
제조사 Infineon Technologies  
아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 250µA  
Vgs (최대) ±16V  
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)  
제조업체 장치 패키지 TO-220AB Full-Pak  
연속 HEXFET®  
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 10mOhm @ 28A, 10V  
전력 소비 (최대) 58W (Tc)  
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack  
패키지 Tube  
제품 속성 속성 값  
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ)  
실장 형 Through Hole  
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600 pF @ 25 V  
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 98 nC @ 5 V  
FET 유형 N-Channel  
FET 특징 -  
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V  
소스 전압에 드레인 (Vdss) 55 V  
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 52A (Tc)  
기본 제품 번호 IRLI3705  

비슷한 규격의 부품

오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRLI3705NPBF와 비슷합니다

제품 속성 IRLI3705NPBF IRLI520G IRLI3803PBF IRLI3803
제품 모델 IRLI3705NPBF IRLI520G IRLI3803PBF IRLI3803
제조사 Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
아이디 @ VGS (일) (최대) 2V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
소스 전압에 드레인 (Vdss) 55 V 100 V 30 V 30 V
패키지 Tube Tube Tube Tube
제조업체 장치 패키지 TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220AB Full-Pak PG-TO220-FP
기본 제품 번호 IRLI3705 IRLI520 - -
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 52A (Tc) 7.2A (Tc) 76A (Tc) 76A (Tc)
작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
전력 소비 (최대) 58W (Tc) 37W (Tc) 63W (Tc) 63W (Tc)
FET 유형 N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 10mOhm @ 28A, 10V 270mOhm @ 4.3A, 5V 6mOhm @ 40A, 10V 6mOhm @ 40A, 10V
패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (최대) ±16V ±10V ±16V ±16V
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V
연속 HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 98 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 140 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V
FET 특징 - - - -
실장 형 Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRLI3705NPBF 데이터 시트 PDF

IRLI3705NPBF - Infineon Technologies에 대한 IRLI3705NPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.

기타 관련 문서
Part Number Guide.pdf
PCN 포장
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017.pdf Tube Label Chgs 20/May/2020.pdf
PCN 디자인/사양
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf POD Datasheet Rev 28/Apr/2017.pdf
PCN 어셈블리/원산지
Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020.pdf

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지역 국가 물류 시간 (일)
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유럽 독일 5
영국 4
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아시아 인도 4
일본 4
중동 이스라엘 6
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조
배송 요금 (kg) 참조 DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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