IRLI3705NPBF 기술 사양
Infineon Technologies - IRLI3705NPBF 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Infineon Technologies - IRLI3705NPBF과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Infineon Technologies | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | |
| Vgs (최대) | ±16V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB Full-Pak | |
| 연속 | HEXFET® | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10mOhm @ 28A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 58W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | |
| 패키지 | Tube |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 실장 형 | Through Hole | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3600 pF @ 25 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 98 nC @ 5 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 52A (Tc) | |
| 기본 제품 번호 | IRLI3705 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Infineon Technologies IRLI3705NPBF와 비슷합니다
| 제품 속성 |  |
|
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | IRLI3705NPBF | IRLI520G | IRLI3803PBF | IRLI3803 |
| 제조사 | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 10V | 4V, 5V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 55 V | 100 V | 30 V | 30 V |
| 패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-220AB Full-Pak | TO-220-3 | TO-220AB Full-Pak | PG-TO220-FP |
| 기본 제품 번호 | IRLI3705 | IRLI520 | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 52A (Tc) | 7.2A (Tc) | 76A (Tc) | 76A (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 전력 소비 (최대) | 58W (Tc) | 37W (Tc) | 63W (Tc) | 63W (Tc) |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10mOhm @ 28A, 10V | 270mOhm @ 4.3A, 5V | 6mOhm @ 40A, 10V | 6mOhm @ 40A, 10V |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| Vgs (최대) | ±16V | ±10V | ±16V | ±16V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3600 pF @ 25 V | 490 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V |
| 연속 | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 98 nC @ 5 V | 12 nC @ 5 V | 140 nC @ 4.5 V | 140 nC @ 4.5 V |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IRLI3705NPBF - Infineon Technologies에 대한 IRLI3705NPBF PDF 데이터 시트 및 Infineon Technologies 문서를 다운로드하십시오.
IRLI3615PBFNSIRLI3705NIRIRLI3705NPVBsemiIRLI520GVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3IRLI3803PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FPIRLI3215IRIRLI3705N MOSIRIRLI520IRIRLI3803Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 76A TO220AB FPIRLI3705IRIRLI3215PBF.IRIRLI520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FPIRLI3615IRIRLI520NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FPIRLI520GPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3IRLI3803PBF.IRIRLI530GVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3IRLI3215PBFIR| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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