IRLI530G 기술 사양
Vishay Siliconix - IRLI530G 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Vishay Siliconix - IRLI530G과 유사한 사양을 가진 부품
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
제조사 | Vishay / Siliconix | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | |
Vgs (최대) | ±10V | |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | |
연속 | - | |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 160mOhm @ 5.8A, 5V | |
전력 소비 (최대) | 42W (Tc) | |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
패키지 | Tube |
제품 속성 | 속성 값 | |
---|---|---|
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
실장 형 | Through Hole | |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 930 pF @ 25 V | |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28 nC @ 5 V | |
FET 유형 | N-Channel | |
FET 특징 | - | |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V | |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.7A (Tc) | |
기본 제품 번호 | IRLI530 |
오른쪽 세 부분의 규격은 Vishay Siliconix IRLI530G와 비슷합니다
제품 속성 | ||||
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제품 모델 | IRLI530G | IRLI520N | IRLI520G | IRLI520GPBF |
제조사 | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
전력 소비 (최대) | 42W (Tc) | 30W (Tc) | 37W (Tc) | 37W (Tc) |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 28 nC @ 5 V | 20 nC @ 5 V | 12 nC @ 5 V | 12 nC @ 5 V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 930 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V | 490 pF @ 25 V | 490 pF @ 25 V |
실장 형 | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
연속 | - | HEXFET® | - | - |
FET 특징 | - | - | - | - |
기본 제품 번호 | IRLI530 | - | IRLI520 | IRLI520 |
패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4V, 5V | 4V, 10V | 4V, 5V | 4V, 5V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.7A (Tc) | 8.1A (Tc) | 7.2A (Tc) | 7.2A (Tc) |
Vgs (최대) | ±10V | ±16V | ±10V | ±10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
제조업체 장치 패키지 | TO-220-3 | PG-TO220-FP | TO-220-3 | TO-220-3 |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 160mOhm @ 5.8A, 5V | 180mOhm @ 6A, 10V | 270mOhm @ 4.3A, 5V | 270mOhm @ 4.3A, 5V |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
패키지 | Tube | Tube | Tube | Tube |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IRLI530G - Vishay Siliconix에 대한 IRLI530G PDF 데이터 시트 및 Vishay Siliconix 문서를 다운로드하십시오.
일반 국가 물류 시간 참조 | ||
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지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
미국 | 미국 | 5 |
브라질 | 7 | |
유럽 | 독일 | 5 |
영국 | 4 | |
이탈리아 | 5 | |
오세아니아 | 호주 | 6 |
뉴질랜드 | 5 | |
아시아 | 인도 | 4 |
일본 | 4 | |
중동 | 이스라엘 | 6 |
DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
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배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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