GKI03026 기술 사양
Sanken Electric USA Inc. - GKI03026 기술 사양, 속성, 매개 변수 및 Sanken Electric USA Inc. - GKI03026과 유사한 사양을 가진 부품
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 제조사 | Sanken Electric USA Inc. | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs (최대) | ±20V | |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) | |
| 연속 | - | |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.6mOhm @ 68A, 10V | |
| 전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 제품 속성 | 속성 값 | |
|---|---|---|
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | |
| 실장 형 | Surface Mount | |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4010 pF @ 15 V | |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | |
| FET 유형 | N-Channel | |
| FET 특징 | - | |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Ta) |
| 기인하다 | 기술 |
|---|---|
| RoHS 상태 | RoHS 준수 |
| 수분 감도 수준 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 상태에 도달하십시오 | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
오른쪽 세 부분의 규격은 Sanken Electric USA Inc. GKI03026와 비슷합니다
| 제품 속성 | |
|
 |
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|---|---|---|---|---|
| 제품 모델 | GKI03026 | GKI06259 | SI4850EY-T1 | GKI04048 |
| 제조사 | Sanken Electric USA Inc. | Sanken Electric USA Inc. | Vishay Siliconix | Sanken Electric USA Inc. |
| Vgs (최대) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V | 60 V | 60 V | 40 V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4010 pF @ 15 V | 1050 pF @ 25 V | - | 2410 pF @ 25 V |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 2.6mOhm @ 68A, 10V | 21mOhm @ 12.5A, 10V | 22mOhm @ 6A, 10V | 5mOhm @ 35.4A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 3.1W (Ta), 77W (Tc) | 3.1W (Ta), 40W (Tc) | 1.7W (Ta) | 3.1W (Ta), 59W (Tc) |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2.5V @ 650µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) | 8-DFN (5x6) | 8-SOIC | 8-DFN (5x6) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET 유형 | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerTDFN |
| FET 특징 | - | - | - | - |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 22A (Ta) | 6A (Ta) | 6A (Ta) | 14A (Ta) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 실장 형 | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 64 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 35.3 nC @ 10 V |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 연속 | - | - | TrenchFET® | - |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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GKI06259Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 60V 6A 8DFNSI4850EY-T1Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6A 8SOGKI04048Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 40V 14A 8DFNGKI03039Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
IRFH7184TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 20A/128A PQFN
IPD60R3K3C6Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
AOK9N90Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N-CH 900V 9A TO247
IXFN27N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
STD60NH03LT4STMicroelectronicsMOSFET N-CH 30V 60A DPAKIRFR3504ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO220ABGKI03080Sanken Electric USA Inc.MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN
IRLI2910PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 31A TO220AB FPIXTY08N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 800MA TO252
IRFP260NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
FDC636PonsemiMOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
IPB010N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7FQD12P10TFonsemiMOSFET P-CH 100V 9.4A TO252| 일반 국가 물류 시간 참조 | ||
|---|---|---|
| 지역 | 국가 | 물류 시간 (일) |
| 미국 | 미국 | 5 |
| 브라질 | 7 | |
| 유럽 | 독일 | 5 |
| 영국 | 4 | |
| 이탈리아 | 5 | |
| 오세아니아 | 호주 | 6 |
| 뉴질랜드 | 5 | |
| 아시아 | 인도 | 4 |
| 일본 | 4 | |
| 중동 | 이스라엘 | 6 |
| DHL 및 FedEx 배송 요금 참조 | |
|---|---|
| 배송 요금 (kg) | 참조 DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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